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公开(公告)号：CN117839596A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410081877.1
申请日：2024-01-19
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于氮化硼材料技术领域，公开一种酸化预处理六方氮化硼的微波超声再生方法，包括以下步骤：对氮化硼工业废料进行球磨处理，过筛，获得废料粉末；将废料粉末分散于酸液中后，进行超声预处理，获得前驱体溶液；将前驱体溶液置于微波超声设备中进行微波超声处理，以同步进行微波辐射加热和超声处理，微波超声处理结束后，冷却至室温，过滤、洗涤后干燥，即获得再生的六方氮化硼。本发明通过对含有六方氮化硼的工业废料进行球磨后，超声酸化预处理制备前驱体、再进行微波超声加热，可得到粒径均匀、纯度高的再生hBN粉料，减小普通再生的二次污染问题的同时也提高了工业效益；且处理操作步骤简单，回收耗时短，有利于进行工业化推广使用。
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公开(公告)号：CN115582547B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN115196990A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210927440.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/571 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，公开了一种多孔SiC陶瓷材料及其制备方法；所述制备方法为：将SiC颗粒与液态聚碳硅烷混合均匀后，压制成坯体；将坯体于1000～1300℃的温度下进行微波烧结处理，得到所述多孔SiC陶瓷材料。本发明通过在SiC颗粒中加入液态聚碳硅烷作为前驱体，并对其进行微波烧结处理，依靠微波独有的热效应，即微波耦合热效应和等离子体热效应，结合前驱体热解产生的气体在微波场的作用下被激发为等离子体，产生局部的瞬间高温把周边的SiC颗粒熔融固结到一起，同时前驱体热解产生的碳化硅也可以作为连接相存在于碳化硅颗粒之间，使合成的多孔SiC陶瓷具有优良的力学性能。
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公开(公告)号：CN115582547A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211274146.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。
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