-
公开(公告)号：CN113930634A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111108563.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C22C1/05 , C22C9/00 , B22F3/14 , C22C32/00 , C01G3/02 , C01B32/956 , C01B33/158
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物，制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶，随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉，混合均匀后将其于800～950℃温度下进行热压烧结，即获得金属基复合材料；其中，所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01～0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相，通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角，改善界面结合状态、力学性能及电学性能；且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa；0～200℃电导率不随测试温度改变而变化，200～400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加，400～900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。
-
公开(公告)号：CN113264774A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110702201.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/565 , C04B35/65
Abstract: 本发明公开了一种晶种诱导微波合成的SiC晶体及其制备方法，涉及无机非金属材料技术领域。包括以下步骤：将硅粉、纳米碳黑及SiC晶种均匀混合后，获得混合粉体，再将混合粉体压制成坯体，随后采用微波加热，于800～1100℃保温15～30min合成SiC晶体，即得所述晶种诱导微波合成SiC晶体。本发明提供方法相比于工业上现用的晶种诱导技术，本文工艺将极大的降低SiC晶体合成的难度和工艺条件。微波加晶种复合诱导合成SiC具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113718370B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111073327.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料制备技术领域，具体涉及一种中空碳化硅纤维的制备方法。通过调节碳源、硅源及磁性金属催化剂的配比，控制微波烧结的条件，可得到多种不同形貌的中空碳化硅纤维。发明采用微波烧结的方式，在磁性催化剂的作用下，制得具有中空结构的SiC纤维；于本申请中，采用微波烧结的方式，实现材料整体性加热、内外受热均匀、烧结效率高、速率快、缩短制备时间、提高能源利用效率，且制得了孔径尺寸分布均匀、纯度高且长径比大的中空碳化硅纤维。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113930634B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111108563.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C22C1/05 , C22C9/00 , B22F3/14 , C22C32/00 , C01G3/02 , C01B32/956 , C01B33/158
Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物，制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶，随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉，混合均匀后将其于800～950℃温度下进行热压烧结，即获得金属基复合材料；其中，所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01～0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相，通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角，改善界面结合状态、力学性能及电学性能；且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa；0～200℃电导率不随测试温度改变而变化，200～400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加，400～900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。
-
公开(公告)号：CN113718370A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111073327.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料制备技术领域，具体涉及一种中空碳化硅纤维的制备方法。通过调节碳源、硅源及磁性金属催化剂的配比，控制微波烧结的条件，可得到多种不同形貌的中空碳化硅纤维。发明采用微波烧结的方式，在磁性催化剂的作用下，制得具有中空结构的SiC纤维；于本申请中，采用微波烧结的方式，实现材料整体性加热、内外受热均匀、烧结效率高、速率快、缩短制备时间、提高能源利用效率，且制得了孔径尺寸分布均匀、纯度高且长径比大的中空碳化硅纤维。
-
公开(公告)号：CN113186416A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010037815.2
申请日：2020-01-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于陶瓷增强金属基复合材料技术领域，具体涉及一种SiC增强铜基复合材料及其制备方法。本发明的SiC增强铜基复合材料，包括Cu颗粒和SiC颗粒，所述Cu颗粒和SiC颗粒之间设有非晶玻璃相，所述非晶玻璃相为SiO2和Cu2O的共熔物。本发明通过向SiC颗粒与Cu颗粒之间引入非晶玻璃相作为界面过渡层，避免了SiC颗粒与Cu颗粒的直接接触，从而使得SiC增强铜基复合材料的性能得到提高。
-
公开(公告)号：CN111892415A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010740051.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/80 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶须/氧化铝陶瓷复合材料及其制备方法，属于氧化铝陶瓷技术领域。本发明的碳化硅晶须/氧化铝陶瓷复合材料的制备方法，包括以下步骤：将复合粉体振荡压力烧结，即得；所述复合粉体由碳化硅晶须和氧化铝粉体组成。本发明的碳化硅晶须/氧化铝陶瓷复合材料的制备方法，利用振荡压力烧结实现动态压力烧结，通过重排、扩散和迁移等机制加快了坯体的致密化进程，加速了烧结后期晶界处闭气孔的排出，有助于提升复合陶瓷材料的相对密度，提高复合陶瓷材料的力学性能。
-
公开(公告)号：CN113186416B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010037815.2
申请日：2020-01-14
Applicant: 郑州航空工业管理学院
Abstract: 本发明属于陶瓷增强金属基复合材料技术领域，具体涉及一种SiC增强铜基复合材料及其制备方法。本发明的SiC增强铜基复合材料，包括Cu颗粒和SiC颗粒，所述Cu颗粒和SiC颗粒之间设有非晶玻璃相，所述非晶玻璃相为SiO2和Cu2O的共熔物。本发明通过向SiC颗粒与Cu颗粒之间引入非晶玻璃相作为界面过渡层，避免了SiC颗粒与Cu颗粒的直接接触，从而使得SiC增强铜基复合材料的性能得到提高。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.041 seconds)
