公开(公告)号：CN115582547B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202211274146.6

申请日：2022-10-18

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  关莉 ,  张圆圆 ,  王海龙 ,  白爽 ,  李明亮 ,  闵志宇 ,  董宾宾 ,  高前程 ,  赵世龙 ,  宋勃震 ,  范冰冰

IPC: B22F9/04 ,  B22F1/12 ,  B22F3/02 ,  B22F3/105 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。

公开(公告)号：CN115582547A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211274146.6

申请日：2022-10-18

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 张锐 ,  关莉 ,  张圆圆 ,  王海龙 ,  白爽 ,  李明亮 ,  闵志宇 ,  董宾宾 ,  高前程 ,  赵世龙 ,  宋勃震 ,  范冰冰

IPC: B22F9/04 ,  B22F1/12 ,  B22F3/02 ,  B22F3/105 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法为：以表面包覆有SiO2‑Cu2O界面修饰相的SiC颗粒作为前驱体，并将其与Cu粉及石墨粉体经球磨处理均匀混合，获得复合粉体；将所述复合粉体预压制坯，获得坯体；在所述坯体周围均匀放置微波透波材料，随后，于700～1000℃的温度下微波处理10～30min，即获得Cu/C/SiC复合材料。本发明采用通过在Cu/SiC复合粉体中引入石墨，使其在微波烧结的过程中可以通过与微波的耦合作用，形成微波热点，积累热量，提高原子界面扩散速率，能够实现在低温下快速制备Cu/C/SiC复合材料。