-
公开(公告)号：CN109474246B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811291283.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了电压箝位保护单元、电路及包含保护电路的运算放大器，包括晶体管Q23，晶体管Q23的集电极与晶体管Q25的集电极连接，晶体管Q25的发射极与正电源VS+连接，晶体管Q25的基极与晶体管Q26的基极连接，晶体管Q25的基极与集电极连接；晶体管Q26的发射极与正电源VS+连接，集电极与二极管D3的负极连接且用于连接晶体管Q1的集电极，二极管D3的正极与结型场效应管PJFET1的源极连接；结型场效应管PJFET1的漏极与负电源VS‑连接，栅极用于连接输入晶体管Q1的发射极。采用二合一箝位结构对输入晶体管进行箝位，在与现有工艺完全兼容的前提下，实现晶体管小偏置电流高放大倍数的需求，既不影响电路性能，避免了难度较大的工艺开发所带来的风险。
-
公开(公告)号：CN109474246A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811291283.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了电压箝位保护单元、电路及包含保护电路的运算放大器，包括晶体管Q23，晶体管Q23的集电极与晶体管Q25的集电极连接，晶体管Q25的发射极与正电源VS+连接，晶体管Q25的基极与晶体管Q26的基极连接，晶体管Q25的基极与集电极连接；晶体管Q26的发射极与正电源VS+连接，集电极与二极管D3的负极连接且用于连接晶体管Q1的集电极，二极管D3的正极与结型场效应管PJFET1的源极连接；结型场效应管PJFET1的漏极与负电源VS-连接，栅极用于连接输入晶体管Q1的发射极。采用二合一箝位结构对输入晶体管进行箝位，在与现有工艺完全兼容的前提下，实现晶体管小偏置电流高放大倍数的需求，既不影响电路性能，避免了难度较大的工艺开发所带来的风险。
-
公开(公告)号：CN111968971B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010889839.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构，包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层；衬底的表面覆盖有外延层，外延层和衬底之间设置有埋层；外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极；基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛，LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通，形成外延层沟道电阻；LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端，外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数，提升抗辐照性能，并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计，有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
-
公开(公告)号：CN111968971A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010889839.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构，包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层；衬底的表面覆盖有外延层，外延层和衬底之间设置有埋层；外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极；基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛，LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通，形成外延层沟道电阻；LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端，外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数，提升抗辐照性能，并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计，有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.026 seconds)
