公开(公告)号：CN114005753B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111277572.0

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 刘如征 ,  葛洪磊 ,  蒋玉贵 ,  潘振雨 ,  柏伟东

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739

Abstract: 一种IGBT产品的氧化工艺方法及氧化后IGBT产品，该工艺方法包括IGBT产品放片、炉管的后处理以及假片的后处理；IGBT产品放片包括将IGBT产品与假片交替设置；炉管的后处理包括采用DCE气体处理炉管；当采用DCE气体处理时，DCE气体的流量为0.2～0.5SLM，处理温度为1000～1100℃，维持时间为1～2h；假片的后处理包括假片表面氧化层的去除、清洗以及生长新的氧化层。该氧化工艺方法通过对氧化工艺中产品隔槽放置、假片的后处理以及氧化设备腔室DCE处理有效消除杂质影响，可有效控制杂质对氧化工艺过程的影响，该工艺氧化后IGBT产品的膜厚均匀性基线小于2％，显著改善了氧化工艺的膜厚均匀性，提高了产品的一致性与可靠性。

公开(公告)号：CN115825086A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211635208.1

申请日：2022-12-19

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李钊 ,  任永宁 ,  葛洪磊 ,  刘如征 ,  刘存生 ,  潘振雨

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/94 ,  G01N21/956 ,  G02B21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种提高外延后显微镜镜检缺陷识别率的方法，调整显微镜的视场光阑至目镜内视域同样大小，调整显微镜的光强；根据不同检查情况调整显微镜的孔径光阑大小；采用调整完成的显微镜，检验产品表面，完成缺陷识别；本申请在调节显微镜视场光阑时可以改变视场大小但对分辨率并无影响，当缩小该光阑时，可以增加映像衬度，将视场光阑调节到与目镜内观察的视野大小相同的程度可以提高映像衬度；本申请能够使得显微镜的视野亮度、成像的反差、对比度及分辨率得到提高。

公开(公告)号：CN113970529A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111227963.1

申请日：2021-10-21

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何江 ,  马朝柱 ,  刘存生 ,  潘振雨 ,  杜星

IPC: G01N21/3563

Abstract: 一种双极型集成电路隔离工艺硼掺杂量的测试方法，包括以下步骤：准备硅衬底片；调整B2H6流量，在硅衬底片上沉积BSG薄膜；对上述硅衬底片进行热退火处理；采用傅里叶红外光谱测试仪在室温下对热退火后的骤硅衬底片的硼含量进行测试。该方法基于BSG薄膜有限表面源掺杂这一特性，通过在硅片上先淀积一定浓度的BSG薄膜，通过快速热退火激活硼原子，随后通过傅里叶红外能谱仪在室温下测试薄膜内的硼含量，根据测试的硼含量结果调整淀积BSG薄膜的掺杂气体B2H6的流量，可以使BSG薄膜淀积量满足产品隔离工艺的使用要求。该方法快速退火激活硼杂质的热预算相对较低，可大幅压缩工艺监控时间至1h以内，提升了双极型集成电路隔离工艺的产能。

公开(公告)号：CN115309007A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211035062.7

申请日：2022-08-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 贺欣 ,  郎刚平 ,  李占文 ,  邵璐 ,  潘振雨

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明公开了一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法，属于微电子技术领域，CD上限观察图形和CD下限观察图形均包括若干个长方形结构，且若干个长方形结构构成品字形，结构简单，光刻版设计及工艺实现容易，该结构只需要设计若干个同尺寸的长方形即可实现，同时大尺寸的长方形在工艺实现中也避免了小尺寸图形易出现的漂胶等异常；同时显微镜检验便捷，可以通过检验品字型结构上下两个长方形的侧边是否在一条直线上，来判别该层线宽是否超过范围，其图形和结构设计科学合理，辨识度高，可满足光刻工艺线宽≥2μm的层次在线检验的要求，为高质量完成光刻工艺打下基础。

公开(公告)号：CN114005753A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111277572.0

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 刘如征 ,  葛洪磊 ,  蒋玉贵 ,  潘振雨 ,  柏伟东

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739

Abstract: 一种IGBT产品的氧化工艺方法及氧化后IGBT产品，该工艺方法包括IGBT产品放片、炉管的后处理以及假片的后处理；IGBT产品放片包括将IGBT产品与假片交替设置；炉管的后处理包括采用DCE气体处理炉管；当采用DCE气体处理时，DCE气体的流量为0.2～0.5SLM，处理温度为1000～1100℃，维持时间为1～2h；假片的后处理包括假片表面氧化层的去除、清洗以及生长新的氧化层。该氧化工艺方法通过对氧化工艺中产品隔槽放置、假片的后处理以及氧化设备腔室DCE处理有效消除杂质影响，可有效控制杂质对氧化工艺过程的影响，该工艺氧化后IGBT产品的膜厚均匀性基线小于2％，显著改善了氧化工艺的膜厚均匀性，提高了产品的一致性与可靠性。