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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111681968A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010568526.5
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种验证金属后腐蚀缺陷的方法，属于半导体集成电路领域，在金属刻蚀完成后将金属裸露放置在FAB环境中，直至金属表面出现腐蚀缺陷，记录金属表面出现腐蚀缺陷的时间，其中，FAB环境的试验参数为，温度21～25℃、湿度40％～50％，风速为0.2～0.4m/s。本方法在半导体集成电路的生产环境中即可实施操作，无需特殊的验证工具，且本发明的验证方法在6小时内即可检测出后腐蚀缺陷，显著缩短了金属后腐蚀缺陷的验证周期。
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公开(公告)号：CN118348749A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410540983.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种实现一次涂胶重复光刻的图形转移方法及相关设备，在涂胶完成的圆片上，使用同一张光刻版在第一次曝光后，不重新更换光刻版的情况下，设置第一次曝光参数，根据第一次曝光参数对光刻版进行一次曝光，根据光刻版一次曝光后的曝光场的大小和分布，设置二次曝光作业条件，完成二次曝光，分别对第一次曝光和再次曝光光刻版行、列在圆片上的分布进行设置，完成重复光刻，与现有技术相比，增大了小线宽光刻的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN111755326A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010605175.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法，所述方法包括步骤1，先在待注入的硅衬底表面涂覆一层I线正性光刻胶膜，得到涂有光刻胶膜的硅衬底，之后对涂有光刻胶膜的硅衬底进行曝光，将具有图形的掩膜板上的图形转移至所述的光刻胶膜内，最后去除曝光区域的光刻胶膜，在硅衬底上形成使用光刻胶膜作掩蔽的注入图形；步骤2，对步骤1得到的硅衬底的下表面和上表面分别进行加热，以及紫外光辐射，完成7度角注入工艺前的固胶工序；步骤3，对步骤2完成固胶工序的硅衬底进行7度角注入。UV固胶后可改善图形光刻胶侧壁形貌以及增强光刻胶的抗注入能力，UV固胶处理后再7度角注入时光刻胶底部产生的硅衬底不会有起皮的缺陷。
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公开(公告)号：CN119805866A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411374695.X
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种提升晶圆线宽均匀性的装置及方法，属于半导体集成电路制造技术领域。装置包括工序依次设置的热板单元和冷板单元；将所述热板单元和冷板单元设置在光刻工艺中的涂胶工序与曝光工序之间；所述热板单元设置有若干个实时温度监测点。方法包括在对晶圆完成涂胶步骤后，将晶圆（4）转移至热板单元，温度范围控制在为100℃~200℃，时间控制为60s~80s；将晶圆转移至冷板单元，直至晶圆冷却至室温；继续完成曝光步骤和显影步骤。本装置通过改善光刻胶的均匀分布，使得曝光光线在晶圆表面各处的穿透深度更加一致，进而减少了因光刻胶厚度差异导致的晶圆线宽不均匀问题。
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公开(公告)号：CN115309007A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211035062.7
申请日：2022-08-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光学显微镜光刻线宽测试结构及检验方法，属于微电子技术领域，CD上限观察图形和CD下限观察图形均包括若干个长方形结构，且若干个长方形结构构成品字形，结构简单，光刻版设计及工艺实现容易，该结构只需要设计若干个同尺寸的长方形即可实现，同时大尺寸的长方形在工艺实现中也避免了小尺寸图形易出现的漂胶等异常；同时显微镜检验便捷，可以通过检验品字型结构上下两个长方形的侧边是否在一条直线上，来判别该层线宽是否超过范围，其图形和结构设计科学合理，辨识度高，可满足光刻工艺线宽≥2μm的层次在线检验的要求，为高质量完成光刻工艺打下基础。
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