公开(公告)号：CN114005753B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111277572.0

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 刘如征 ,  葛洪磊 ,  蒋玉贵 ,  潘振雨 ,  柏伟东

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739

Abstract: 一种IGBT产品的氧化工艺方法及氧化后IGBT产品，该工艺方法包括IGBT产品放片、炉管的后处理以及假片的后处理；IGBT产品放片包括将IGBT产品与假片交替设置；炉管的后处理包括采用DCE气体处理炉管；当采用DCE气体处理时，DCE气体的流量为0.2～0.5SLM，处理温度为1000～1100℃，维持时间为1～2h；假片的后处理包括假片表面氧化层的去除、清洗以及生长新的氧化层。该氧化工艺方法通过对氧化工艺中产品隔槽放置、假片的后处理以及氧化设备腔室DCE处理有效消除杂质影响，可有效控制杂质对氧化工艺过程的影响，该工艺氧化后IGBT产品的膜厚均匀性基线小于2％，显著改善了氧化工艺的膜厚均匀性，提高了产品的一致性与可靠性。

公开(公告)号：CN114005753A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111277572.0

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 刘如征 ,  葛洪磊 ,  蒋玉贵 ,  潘振雨 ,  柏伟东

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739

Abstract: 一种IGBT产品的氧化工艺方法及氧化后IGBT产品，该工艺方法包括IGBT产品放片、炉管的后处理以及假片的后处理；IGBT产品放片包括将IGBT产品与假片交替设置；炉管的后处理包括采用DCE气体处理炉管；当采用DCE气体处理时，DCE气体的流量为0.2～0.5SLM，处理温度为1000～1100℃，维持时间为1～2h；假片的后处理包括假片表面氧化层的去除、清洗以及生长新的氧化层。该氧化工艺方法通过对氧化工艺中产品隔槽放置、假片的后处理以及氧化设备腔室DCE处理有效消除杂质影响，可有效控制杂质对氧化工艺过程的影响，该工艺氧化后IGBT产品的膜厚均匀性基线小于2％，显著改善了氧化工艺的膜厚均匀性，提高了产品的一致性与可靠性。

公开(公告)号：CN117524869A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311439321.7

申请日：2023-10-31

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 柏伟东

IPC: H01L21/322

Abstract: 本发明提供一种降低外延自掺杂效应的P型埋层推阱工艺，在进行推阱工艺后依次通入干氧、湿氧、干氧在硅片表面制备氧化层，去除氧化层得到表面杂质含量降低的硅片，本发明方法应用于PN结对通隔离工艺的双极产品，通过本发明方法处理后的双极产品，可有效降低后续进行外延工艺时产生的自掺杂影响，提高高压大功率器件对外延层电阻率精度。

公开(公告)号：CN117174585A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311139992.1

申请日：2023-09-05

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张雁斌 ,  葛洪磊 ,  陈宝忠 ,  刘如征 ,  苗立新 ,  柏伟东 ,  白帅

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明提出一种改善注锑后外延层错缺陷的退火方法，在外延淀积工艺前对注锑衬底进行二步退火工艺处理，具体的，在一步升温采用的气氛为纯氧气、一步退火前期采用的气氛为纯氧气，当氧化层厚度达到设定值后改用纯氮气，二步退火升温、二步退火采用气氛为纯氮气。本发明优化了退火过程中的升温过程的气氛环境，纯氧气氛作为退火升温过程的气氛环境，以降低锑注入区域的硅晶格缺陷密度，进而降低外延后锑注入区域缺陷，经过本发明退火处理的注入区域在外延工艺后，极大降低了层错密度，提高了半导体器件性能及成品率。

公开(公告)号：CN111519245B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010357763.7

申请日：2020-04-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 任永宁 ,  葛洪磊 ,  刘依思 ,  陈宝忠 ,  刘如征 ,  张雁斌 ,  柏伟东 ,  白帅 ,  任恬

IPC: C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度；然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，进行外延生长至设定外延层总厚度，采用两步生长过程，先进行第一层外延层生长，形成的第一层外延层覆盖了衬底，在进行二次生长时，硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制；硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封，背面杂质的蒸发也被有效抑制，再次生长完成外延层生长，能够有效抑制外延自掺杂效应。

公开(公告)号：CN111519245A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010357763.7

申请日：2020-04-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 任永宁 ,  葛洪磊 ,  刘依思 ,  陈宝忠 ,  刘如征 ,  张雁斌 ,  柏伟东 ,  白帅 ,  任恬

IPC: C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度；然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，进行外延生长至设定外延层总厚度，采用两步生长过程，先进行第一层外延层生长，形成的第一层外延层覆盖了衬底，在进行二次生长时，硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制；硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封，背面杂质的蒸发也被有效抑制，再次生长完成外延层生长，能够有效抑制外延自掺杂效应。