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发明公开
一种双极型集成电路隔离工艺硼掺杂量的测试方法无效

公开(公告)号：CN113970529A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111227963.1

申请日：2021-10-21

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何江 , 马朝柱 , 刘存生 , 潘振雨 , 杜星

IPC: G01N21/3563

Abstract: 一种双极型集成电路隔离工艺硼掺杂量的测试方法，包括以下步骤：准备硅衬底片；调整B2H6流量，在硅衬底片上沉积BSG薄膜；对上述硅衬底片进行热退火处理；采用傅里叶红外光谱测试仪在室温下对热退火后的骤硅衬底片的硼含量进行测试。该方法基于BSG薄膜有限表面源掺杂这一特性，通过在硅片上先淀积一定浓度的BSG薄膜，通过快速热退火激活硼原子，随后通过傅里叶红外能谱仪在室温下测试薄膜内的硼含量，根据测试的硼含量结果调整淀积BSG薄膜的掺杂气体B2H6的流量，可以使BSG薄膜淀积量满足产品隔离工艺的使用要求。该方法快速退火激活硼杂质的热预算相对较低，可大幅压缩工艺监控时间至1h以内，提升了双极型集成电路隔离工艺的产能。

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