公开(公告)号：CN113410232A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110663159.1

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 任永宁 ,  刘如征 ,  杨永峰 ,  葛洪磊 ,  刘存生 ,  刘依思 ,  李钊

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺，包括N型衬底，N型衬底的上表面埋有N埋层和P埋层，N型衬底向上延伸有N型外延层，N型外延层覆盖N埋层和P埋层，P埋层上设有P阱。本发明对于CMOS集成电路，在N型衬底上形成N埋层和P埋层，再进行外延工艺，通过埋层与外延工艺，能降低衬底的寄生电阻R1、R2，降低了寄生晶体管NPN、PNP的电流增益，提高闩锁效应的触发电流阈值及降低寄生晶体管的电流增益，抑制闩锁效应的发生更为有效。

公开(公告)号：CN115825086A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211635208.1

申请日：2022-12-19

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李钊 ,  任永宁 ,  葛洪磊 ,  刘如征 ,  刘存生 ,  潘振雨

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/94 ,  G01N21/956 ,  G02B21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种提高外延后显微镜镜检缺陷识别率的方法，调整显微镜的视场光阑至目镜内视域同样大小，调整显微镜的光强；根据不同检查情况调整显微镜的孔径光阑大小；采用调整完成的显微镜，检验产品表面，完成缺陷识别；本申请在调节显微镜视场光阑时可以改变视场大小但对分辨率并无影响，当缩小该光阑时，可以增加映像衬度，将视场光阑调节到与目镜内观察的视野大小相同的程度可以提高映像衬度；本申请能够使得显微镜的视野亮度、成像的反差、对比度及分辨率得到提高。

公开(公告)号：CN116759440A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310722339.1

申请日：2023-06-16

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 刘依思 ,  任永宁 ,  折宇 ,  葛洪磊 ,  李钊

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种降低桶式外延炉自掺杂效应的结构、方法及抗单粒子双极三极管，属于半导体集成电路领域。首先，将重掺低阻硅衬底材料放入桶式外延炉内，在硅衬底材料表面进行外延生长形成第一层外延层，其中，该外延层包含一层较薄的外延本征层，生长后第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度，然后在第一层外延层的基础上，经过通过开腔后再开始第二次外延生长，并生长至已设定的外延层总厚度。通过以上操作步骤，重掺低阻硅衬底材料在第一层预淀积本征层生长封住后，再借由开腔分炉的方法，可以将外延系统内部停滞层的杂质被带走，不仅达到大幅降低外延炉系统内自掺杂效应的目的，同时还能提升单炉产能。