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公开(公告)号：CN117712200A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311705250.0
申请日：2023-12-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅柱阵列、刻蚀方法和应用，在硅衬底片表面设置基于硅柱图形的二氧化硅硬掩膜；利用二氧化硅硬掩膜掩蔽，对硅衬底片进行单次硅刻蚀，单次硅刻蚀过程持续至刻蚀深度达到要求，硅衬底片表面形成硅柱；单次硅刻蚀的工艺参数为：刻蚀气体为SF6，钝化气体为O2和Hbr，刻蚀压力为55～65W，偏置功率为45W～55W，偏置功率频率为110Hz～130Hz；偏置功率循环为75％～85％，源射频功率为1000W～1300W；剥离二氧化硅硬掩膜，完成硅柱阵列刻蚀。可使硅柱侧壁的漫反射变为镜面反射，提高薄膜电池的光吸收，显著提升产品的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117293056A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311243699.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种集成电路中干法去胶等离子损伤的监控方法，具体步骤如下：S1基于现有的集成电路制作流程，在离子注入、激活后，获取干法去胶前后晶圆的方阻值得到方阻前值和方阻后值；S2计算方阻前值和方阻后值的差值，所述差值作为干法去胶等离子损伤结果用于实现干法去胶等离子损伤的监控。本发明方法可以及时反馈干法去胶等离子损伤程度，解决等离子损伤导致的器件性能失效问题。
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公开(公告)号：CN113410130B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110663161.9
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法，具体步骤如下，在硅基表面沟槽中填充双层介质，硅基表面由上到下形成第一介质层和第二介质层，在第一介质层上进行第一次光刻胶涂胶；对光刻胶和第一介质层进行刻蚀，刻蚀后硅基表面的光刻胶刻蚀完全，硅基表面的沟槽顶部剩余一定高度的第一介质层；经上述处理后，在硅基表面的第二介质层上进行第二次光刻胶涂胶；通过调整光刻胶与第一介质和第二介质的选择比，将第二介质层、第二次涂覆的光刻胶、以及剩余的第一介质层同时刻蚀完全，使用本发明的平坦化回刻方法可显著提高介质刻蚀后硅基上沟槽表面的平整度，提高了加工质量，减少后续工艺缺陷产生。
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公开(公告)号：CN115172260A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210901510.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种解决凹坑残留的浅槽隔离工艺制备方法，在0.18pumCMOS工艺平台中，浅槽隔离形成的工艺过程为：首先完成氮化硅硬掩膜刻蚀，并以氮化硅作为硬掩膜完成硅片的干法刻蚀形成浅沟槽。然后采用化学气相沉积在浅沟槽中填充二氧化硅，并采用化学机械研磨去掉多余的二氧化硅，再通过磷酸全剥去除氮化硅，形成完整的浅槽隔离。本发明在湿法清洗工艺中引入硬掩膜回刻技术后，增加了二氧化硅介质的填充宽度，可在后续的湿法全剥工艺中抵消横向刻蚀作用；通过优化多步湿法腐蚀和清洗工艺解决浅槽隔离工艺制作过程中出现的凹坑残留问题，达到平坦化刻蚀提升器件的隔离性能。
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公开(公告)号：CN113410382A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110662034.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻。使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410130A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110663161.9
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种沟槽填充介质后的平坦化回刻方法，具体步骤如下，在硅基表面沟槽中填充双层介质，硅基表面由上到下形成第一介质层和第二介质层，在第一介质层上进行第一次光刻胶涂胶；对光刻胶和第一介质层进行刻蚀，刻蚀后硅基表面的光刻胶刻蚀完全，硅基表面的沟槽顶部剩余一定高度的第一介质层；经上述处理后，在硅基表面的第二介质层上进行第二次光刻胶涂胶；通过调整光刻胶与第一介质和第二介质的选择比，将第二介质层、第二次涂覆的光刻胶、以及剩余的第一介质层同时刻蚀完全，使用本发明的平坦化回刻方法可显著提高介质刻蚀后硅基上沟槽表面的平整度，提高了加工质量，减少后续工艺缺陷产生。
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公开(公告)号：CN111681968A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010568526.5
申请日：2020-06-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种验证金属后腐蚀缺陷的方法，属于半导体集成电路领域，在金属刻蚀完成后将金属裸露放置在FAB环境中，直至金属表面出现腐蚀缺陷，记录金属表面出现腐蚀缺陷的时间，其中，FAB环境的试验参数为，温度21～25℃、湿度40％～50％，风速为0.2～0.4m/s。本方法在半导体集成电路的生产环境中即可实施操作，无需特殊的验证工具，且本发明的验证方法在6小时内即可检测出后腐蚀缺陷，显著缩短了金属后腐蚀缺陷的验证周期。
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公开(公告)号：CN115458480A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211192126.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种金属互连层腐蚀方法，属于半导体模拟集成电路领域，首先在已制备好的铬硅系电阻硅片上使用物理气相淀积工艺制备金属铝硅铜膜质；使用光刻工艺完成金属层图形的制备；使用烘箱进行坚膜，保证光刻胶形貌；使用打底膜工艺去除光刻显影后的残留；使用铝硅铜腐蚀液对金属层进行腐蚀；进行干法去胶，去除表层的光刻胶；利用扫硅渣液去除金属腐蚀后留下的硅渣；进行湿法有机清洗，对残留光刻胶及颗粒进一步去除；使用双氧水对薄膜电阻区TiW阻挡层进行腐蚀；薄膜电阻金属互连层制备完成。本发明工艺简单，可操作性强，应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。
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公开(公告)号：CN109326519B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811057870.7
申请日：2018-09-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种倾角硅槽刻蚀工艺，包括以下步骤：在待刻蚀晶圆的表面生成硬掩膜层，在硬掩膜层表面涂光刻胶，曝光显影，露出需要刻蚀的硬掩膜层窗口；在露出的窗口处进行硬掩膜刻蚀，刻蚀至晶圆表面；在完成硬掩膜刻蚀的窗口处进行硅槽刻蚀，刻蚀至硅槽深度为设定值；其中，刻蚀气体为SF6；钝化气体包括O2和Hbr；偏置功率为50～55W；偏置功率频率为110～130Hz；偏置功率循环为65％～75％；源射频功率为1000～1100W；采用干法去胶的方法去除非硅槽区域的光刻胶。本发明将硅槽侧壁角度由90°优化到接近80°，在后续硅槽的填充过程中，消除了填充后形成的空洞，进而提升了击穿电压，降低了漏电，增加了介质隔离集成工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN111755326A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010605175.0
申请日：2020-06-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法，所述方法包括步骤1，先在待注入的硅衬底表面涂覆一层I线正性光刻胶膜，得到涂有光刻胶膜的硅衬底，之后对涂有光刻胶膜的硅衬底进行曝光，将具有图形的掩膜板上的图形转移至所述的光刻胶膜内，最后去除曝光区域的光刻胶膜，在硅衬底上形成使用光刻胶膜作掩蔽的注入图形；步骤2，对步骤1得到的硅衬底的下表面和上表面分别进行加热，以及紫外光辐射，完成7度角注入工艺前的固胶工序；步骤3，对步骤2完成固胶工序的硅衬底进行7度角注入。UV固胶后可改善图形光刻胶侧壁形貌以及增强光刻胶的抗注入能力，UV固胶处理后再7度角注入时光刻胶底部产生的硅衬底不会有起皮的缺陷。
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