公开(公告)号：CN111681968A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010568526.5

申请日：2020-06-19

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 郎刚平 ,  信会菊 ,  曾坤 ,  李林 ,  陈宝忠

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种验证金属后腐蚀缺陷的方法，属于半导体集成电路领域，在金属刻蚀完成后将金属裸露放置在FAB环境中，直至金属表面出现腐蚀缺陷，记录金属表面出现腐蚀缺陷的时间，其中，FAB环境的试验参数为，温度21～25℃、湿度40％～50％，风速为0.2～0.4m/s。本方法在半导体集成电路的生产环境中即可实施操作，无需特殊的验证工具，且本发明的验证方法在6小时内即可检测出后腐蚀缺陷，显著缩短了金属后腐蚀缺陷的验证周期。

公开(公告)号：CN118782533A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410746981.8

申请日：2024-06-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 曾坤 ,  信会菊 ,  贺欣 ,  郝军 ,  刘如征 ,  刘存生

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种多层图形浅槽隔离刻蚀工艺方法，通过在半导体衬底表面生长缓冲氧化层和硬掩膜，然后依据沟槽深度由浅到深的顺序对沟槽进行刻蚀，每次刻蚀完成后均对半导体衬底进行处理，可有效降低在后续STI光刻时光刻胶回流带来的光刻胶厚度不足问题，同时深度小的硅槽中光刻胶更容易去除；刻蚀过程中，利用光刻胶作为主要刻蚀掩蔽层，氮化硅作为次要刻蚀掩蔽，可有效保证刻蚀过程的进行。

公开(公告)号：CN111755326A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010605175.0

申请日：2020-06-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李林 ,  曾坤 ,  信会菊 ,  郎刚平 ,  陈宝忠

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明一种解决7度角注入工艺中硅衬底起皮缺陷的方法，所述方法包括步骤1，先在待注入的硅衬底表面涂覆一层I线正性光刻胶膜，得到涂有光刻胶膜的硅衬底，之后对涂有光刻胶膜的硅衬底进行曝光，将具有图形的掩膜板上的图形转移至所述的光刻胶膜内，最后去除曝光区域的光刻胶膜，在硅衬底上形成使用光刻胶膜作掩蔽的注入图形；步骤2，对步骤1得到的硅衬底的下表面和上表面分别进行加热，以及紫外光辐射，完成7度角注入工艺前的固胶工序；步骤3，对步骤2完成固胶工序的硅衬底进行7度角注入。UV固胶后可改善图形光刻胶侧壁形貌以及增强光刻胶的抗注入能力，UV固胶处理后再7度角注入时光刻胶底部产生的硅衬底不会有起皮的缺陷。