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发明公开
一种集成电路中干法去胶等离子损伤的监控方法审中-实审

公开(公告)号：CN117293056A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311243699.X

申请日：2023-09-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张万垚 , 杨尚洁 , 郝军 , 李林 , 黄玉文 , 刘存生

IPC: H01L21/67 , G03F7/42

Abstract: 本发明提供了一种集成电路中干法去胶等离子损伤的监控方法，具体步骤如下：S1基于现有的集成电路制作流程，在离子注入、激活后，获取干法去胶前后晶圆的方阻值得到方阻前值和方阻后值；S2计算方阻前值和方阻后值的差值，所述差值作为干法去胶等离子损伤结果用于实现干法去胶等离子损伤的监控。本发明方法可以及时反馈干法去胶等离子损伤程度，解决等离子损伤导致的器件性能失效问题。

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