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公开(公告)号：CN115842006A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211002771.5
申请日：2022-08-19
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/498 , H01L21/68
Abstract: 一种用于电子设备的衬底可以包括一层或多层。所述衬底可以包括限定在衬底中的空腔。所述空腔可以适于容纳半导体管芯。所述衬底可以包括定位成靠近空腔的基准标记。所述基准标记可以暴露在所述衬底的第一表面上。所述基准标记可以包括第一区域，其包括电介质填充材料。所述基准标记可以包括第二区域，其包括导电填充材料。在示例中，第二区域围绕第一区域。在另一示例中，电介质填充材料具有与导电填充材料相比更低的反射率，以提供第一区域和第二区域之间的对比度。
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