公开(公告)号：CN113990853A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111031988.4

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。

公开(公告)号：CN115036298A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210464307.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明的主题是“用于管芯平铺的技术”。提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。

公开(公告)号：CN117174686A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310871841.9

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/14 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的主题是“用于管芯平铺的技术”。提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。

公开(公告)号：CN115274647A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210661435.5

申请日：2020-02-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.皮坦巴拉姆 ,  G.段 ,  D.库尔卡尼 ,  R.曼帕利 ,  X.郭

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装和形成这样的电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括：模制层，该模制层具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；和嵌入模制层中的多个第一管芯。在实施例中，多个第一管芯中的每个具有与模制层的第一表面大致共面的表面。在实施例中，电子封装进一步包括嵌入模制层中的第二管芯。在实施例中，第二管芯被安置在多个第一管芯与模制层的第二表面之间。

公开(公告)号：CN113972199A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111031649.6

申请日：2020-02-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.皮坦巴拉姆 ,  G.段 ,  D.库尔卡尼 ,  R.曼帕利 ,  X.郭

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 本申请题为：用于管芯平铺应用的小芯片优先架构。本文公开的实施例包括电子封装和形成这样的电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括：模制层，该模制层具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；和嵌入模制层中的多个第一管芯。在实施例中，多个第一管芯中的每个具有与模制层的第一表面大致共面的表面。在实施例中，电子封装进一步包括嵌入模制层中的第二管芯。在实施例中，第二管芯被安置在多个第一管芯与模制层的第二表面之间。

公开(公告)号：CN111557045A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201980006856.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/14 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。

公开(公告)号：CN111554671A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010088147.6

申请日：2020-02-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.皮坦巴拉姆 ,  G.段 ,  D.库尔卡尼 ,  R.曼帕利 ,  X.郭

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

Abstract: 本文公开的实施例包括电子封装和形成这样的电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括：模制层，该模制层具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；和嵌入模制层中的多个第一管芯。在实施例中，多个第一管芯中的每个具有与模制层的第一表面大致共面的表面。在实施例中，电子封装进一步包括嵌入模制层中的第二管芯。在实施例中，第二管芯被安置在多个第一管芯与模制层的第二表面之间。