公开(公告)号：CN113990853A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111031988.4

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。

公开(公告)号：CN115036298A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210464307.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明的主题是“用于管芯平铺的技术”。提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。

公开(公告)号：CN117174686A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310871841.9

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/14 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的主题是“用于管芯平铺的技术”。提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。

公开(公告)号：CN111557045A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201980006856.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S.V.皮塔姆巴拉姆 ,  段刚 ,  D.库尔卡尼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/14 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了用于精细节点异构芯片封装的技术。在示例中，一种制作异构芯片封装的方法可包括：使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子，在硅桥周围并且邻近第一基管芯和第二基管芯的第一侧形成有机衬底，以及将精细节点管芯耦合到第一基管芯或第二基管芯中的至少一个的第二侧。