公开(公告)号：CN115863312A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211012309.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·娜德 ,  段刚 ,  J·埃克顿 ,  B·马林 ,  R·马哈詹

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的主题是“产生具有纳米粗糙化互连的集成电路封装的方法、系统、设备和制品”。公开了用来产生纳米粗糙化的集成电路封装的方法、系统、设备和制品。示例集成电路（IC）封装包括衬底、半导体管芯和用来将半导体管芯电耦合到衬底的金属互连，金属互连包括纳米粗糙化的表面。

公开(公告)号：CN119836691A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380063046.5

申请日：2023-08-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·C·马林 ,  段刚 ,  J·埃克顿 ,  S·娜德 ,  S·V·皮坦巴拉姆

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/66 ,  H01L23/15 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 微电子组件的实施例包括：玻璃的中介层结构；包括有机电介质材料的衬底，所述衬底耦合到所述中介层结构的第一侧；以及多个IC管芯。所述多个IC管芯中的第一IC管芯通过第一互连件耦合到所述衬底，所述多个IC管芯中的第二IC管芯嵌入所述衬底的有机电介质材料中，所述第二IC管芯通过第二互连件耦合到所述第一IC管芯，所述第二IC管芯通过第三互连件耦合到所述中介层结构的第一侧，并且所述多个IC管芯中的第三IC管芯通过第四互连件耦合到所述中介层结构的第二侧，所述中介层结构的第二侧与所述中介层结构的第一侧相对。

公开(公告)号：CN115863300A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211012308.9

申请日：2022-08-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·D·埃克顿 ,  K·达马维卡塔 ,  S·娜德 ,  O·奥杰达 ,  聂白 ,  B·C·马林 ,  段刚 ,  J·韦洪斯基 ,  O·奥兹坎 ,  N·S·海恩

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本文中公开的实施例包括电子封装以及形成此类电子封装的方法。在实施例中，电子封装包括多个堆叠层。在实施例中，第一迹线在第一层上，其中，第一迹线具有第一厚度。在实施例中，第二迹线在第一层上，其中，第二迹线具有大于第一厚度的第二厚度。在实施例中，第二层在第一迹线和第二迹线之上。