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公开(公告)号：CN106663646B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201580036717.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本文呈现基于附近计量目标的光学测量而估计实际装置结构的所关注参数的值的方法及系统。采用高处理量线内计量技术来测量位于实际装置结构附近的计量目标。将从所述计量目标收集的测量数据提供到经训练信号响应计量SRM模型。所述经训练SRM模型基于所述计量目标的所述测量而估计所述实际装置结构的一或多个所关注参数的所述值。所述SRM模型经训练以在由参考计量系统测量的实际装置参数与至少一个附近计量目标的对应光学测量之间建立函数关系。在另一方面中，采用所述经训练SRM来确定使测量装置参数值在规格内的工艺参数的校正。
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公开(公告)号：CN104810352B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510030734.9
申请日：2009-07-16
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为通过使用前馈侧馈以及测量单元再使用的改进量度，属于半导体器件加工领域。随着半导体器件的部件尺寸越来越小，改进量度性能/生产率以及器件相关性的能力变得非常重要。本发明通过实施新颖的目标设计和使用前馈方案对薄膜/临界尺寸和叠对度量性能/生产率以及器件相关性的改进，使设置时间、度量时间最小化，并且使形成于半导体器件上的掩模版覆盖面积最小化。具体地，本发明提出用于在制造半导体器件中使用的测试结构，包括衬底和形成在衬底上或材料层中的两个或更多个测试单元；在第一测试单元上建模第一测量，所述第一测试单元形成在部分已制造的器件的层中；在所述层中的第二测试单元上执行第二测量；信息的馈送和进一步的建模。
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公开(公告)号：CN105917454B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201580004435.6
申请日：2015-01-14
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明提出用于基于可重复使用的参数模型产生复杂装置结构的测量模型的方法及工具。采用这些模型的计量系统经配置以测量与不同半导体制造工艺相关联的结构及材料特性。所述可重复使用的参数子结构模型由模型构建工具的用户输入的一组独立参数来完全定义。与模型形状及组成的几何结构元件之间的内部约束条件相关联的全部其它变量在所述模型内予以预定义。在一些实施例中，一或多个可重复使用的参数模型被集成到复杂半导体装置的测量模型中。另一方面，模型构建工具基于来自用户的输入产生可重复使用的参数子结构模型。所得模型可被导出到可由其它用户使用的文件，且可包括安全特征以控制与特定用户共享敏感知识产权。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105917454A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004435.6
申请日：2015-01-14
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明提出用于基于可重复使用的参数模型产生复杂装置结构的测量模型的方法及工具。采用这些模型的计量系统经配置以测量与不同半导体制造工艺相关联的结构及材料特性。所述可重复使用的参数子结构模型由模型构建工具的用户输入的一组独立参数来完全定义。与模型形状及组成的几何结构元件之间的内部约束条件相关联的全部其它变量在所述模型内予以预定义。在一些实施例中，一或多个可重复使用的参数模型被集成到复杂半导体装置的测量模型中。另一方面，模型构建工具基于来自用户的输入产生可重复使用的参数子结构模型。所得模型可被导出到可由其它用户使用的文件，且可包括安全特征以控制与特定用户共享敏感知识产权。
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公开(公告)号：CN107429995B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201680019827.4
申请日：2016-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·莱维 , D·坎戴尔 , M·E·阿德尔 , L·波斯拉夫斯基 , J·鲁滨逊 , T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , T·格林茨威格 , D·克莱因 , T·伊茨科维赫 , N·卡梅尔 , N·阿米尔 , V·拉马纳坦 , J·坎普 , M·瓦格纳
Abstract: 本发明揭示一种计量性能分析系统，其包含：计量工具，其包含一或多个检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述一或多个检测器。所述控制器经配置以从所述计量工具接收与计量目标相关联的一或多个计量数据集，其中所述一或多个计量数据集包含一或多个测定计量度量且所述一或多个测定计量度量指示与标称值的偏差。所述控制器经进一步配置以确定与所述标称值的所述偏差和一或多个选定半导体工艺变化之间的关系，及基于所述一或多个计量度量的值和所述一或多个选定半导体工艺变化之间的所述关系确定与所述标称值的所述偏差的一或多个根本原因。
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公开(公告)号：CN107429995A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019827.4
申请日：2016-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·莱维 , D·坎戴尔 , M·E·阿德尔 , L·波斯拉夫斯基 , J·鲁滨逊 , T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , T·格林茨威格 , D·克莱因 , T·伊茨科维赫 , N·卡梅尔 , N·阿米尔 , V·拉马纳坦 , J·坎普 , M·瓦格纳
Abstract: 本发明揭示一种计量性能分析系统，其包含：计量工具，其包含一或多个检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述一或多个检测器。所述控制器经配置以从所述计量工具接收与计量目标相关联的一或多个计量数据集，其中所述一或多个计量数据集包含一或多个测定计量度量且所述一或多个测定计量度量指示与标称值的偏差。所述控制器经进一步配置以确定与所述标称值的所述偏差和一或多个选定半导体工艺变化之间的关系，及基于所述一或多个计量度量的值和所述一或多个选定半导体工艺变化之间的所述关系确定与所述标称值的所述偏差的一或多个根本原因。
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公开(公告)号：CN106663646A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580036717.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F7/7065 , G03F7/705 , H01L22/12
Abstract: 本文呈现基于附近计量目标的光学测量而估计实际装置结构的所关注参数的值的方法及系统。采用高处理量线内计量技术来测量位于实际装置结构附近的计量目标。将从所述计量目标收集的测量数据提供到经训练信号响应计量SRM模型。所述经训练SRM模型基于所述计量目标的所述测量而估计所述实际装置结构的一或多个所关注参数的所述值。所述SRM模型经训练以在由参考计量系统测量的实际装置参数与至少一个附近计量目标的对应光学测量之间建立函数关系。在另一方面中，采用所述经训练SRM来确定使测量装置参数值在规格内的工艺参数的校正。
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公开(公告)号：CN103403724B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280010987.4
申请日：2012-02-28
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: G06N3/08 , G06N3/0454
Abstract: 描述了用于基于库的临界尺寸（CD）计量的精确神经网络训练的方法。还描述了用于基于库的临界尺寸（CD）计量的快速神经网络训练的方法。
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