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公开(公告)号：CN108700463B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201680082361.2
申请日：2016-11-01
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供方法、计量模块及RCA工具，其使用测量图谱中的(若干)谐振区域的行为以相对于对称及不对称因子评估及特征化工艺变动，且相对于工艺步骤提供所述工艺变动的根本原因分析。可使用具有不同层厚度及工艺变动因子的模型化堆叠的模拟来增强所述分析且对计量测量提供经改良目标设计、经改良算法及可校正项。可利用展现敏感谐振区域的特定目标来增强所述工艺变动评估。
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公开(公告)号：CN107429995B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201680019827.4
申请日：2016-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·莱维 , D·坎戴尔 , M·E·阿德尔 , L·波斯拉夫斯基 , J·鲁滨逊 , T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , T·格林茨威格 , D·克莱因 , T·伊茨科维赫 , N·卡梅尔 , N·阿米尔 , V·拉马纳坦 , J·坎普 , M·瓦格纳
Abstract: 本发明揭示一种计量性能分析系统，其包含：计量工具，其包含一或多个检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述一或多个检测器。所述控制器经配置以从所述计量工具接收与计量目标相关联的一或多个计量数据集，其中所述一或多个计量数据集包含一或多个测定计量度量且所述一或多个测定计量度量指示与标称值的偏差。所述控制器经进一步配置以确定与所述标称值的所述偏差和一或多个选定半导体工艺变化之间的关系，及基于所述一或多个计量度量的值和所述一或多个选定半导体工艺变化之间的所述关系确定与所述标称值的所述偏差的一或多个根本原因。
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公开(公告)号：CN107429995A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680019827.4
申请日：2016-04-05
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·莱维 , D·坎戴尔 , M·E·阿德尔 , L·波斯拉夫斯基 , J·鲁滨逊 , T·马西安诺 , B·布尔戈尔茨 , T·格林茨威格 , D·克莱因 , T·伊茨科维赫 , N·卡梅尔 , N·阿米尔 , V·拉马纳坦 , J·坎普 , M·瓦格纳
Abstract: 本发明揭示一种计量性能分析系统，其包含：计量工具，其包含一或多个检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述一或多个检测器。所述控制器经配置以从所述计量工具接收与计量目标相关联的一或多个计量数据集，其中所述一或多个计量数据集包含一或多个测定计量度量且所述一或多个测定计量度量指示与标称值的偏差。所述控制器经进一步配置以确定与所述标称值的所述偏差和一或多个选定半导体工艺变化之间的关系，及基于所述一或多个计量度量的值和所述一或多个选定半导体工艺变化之间的所述关系确定与所述标称值的所述偏差的一或多个根本原因。
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公开(公告)号：CN108700463A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082361.2
申请日：2016-11-01
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: G01B11/272 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供方法、计量模块及RCA工具，其使用测量图谱中的(若干)谐振区域的行为以相对于对称及不对称因子评估及特征化工艺变动，且相对于工艺步骤提供所述工艺变动的根本原因分析。可使用具有不同层厚度及工艺变动因子的模型化堆叠的模拟来增强所述分析且对计量测量提供经改良目标设计、经改良算法及可校正项。可利用展现敏感谐振区域的特定目标来增强所述工艺变动评估。
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