公开(公告)号：CN106856207B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201611076971.X

申请日：2016-11-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 何昌 ,  肖婷 ,  包海涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种FRD芯片的终端结构、其制备方法及具有其的FRD芯片。该FRD芯片具有衬底和设置在衬底上的外延片，FRD芯片包括终端结构和有源结构，终端结构围绕FRD芯片的有源结构设置在外延片中，衬底向外延片延伸的方向为深度方向，终端结构包括：终端耐压环数量为一个，设置在外延片中；终端截止环设置在终端耐压环的远离有源结构的一侧的外延片中，其中衬底、外延片和终端截止环的掺杂离子类型相同，终端耐压环和外延片的掺杂离子为反型离子。将终端耐压环设置为一个，使得终端结构相对于现有技术中分压环的方案所占面积大大减小且该终端耐压环起到足够的耐压性能，因此，提高了芯片的导电能力且减小了制作终端耐压环的成本。

公开(公告)号：CN106856207A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201611076971.X

申请日：2016-11-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 何昌 ,  肖婷 ,  包海涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种FRD芯片的终端结构、其制备方法及具有其的FRD芯片。该FRD芯片具有衬底和设置在衬底上的外延片，FRD芯片包括终端结构和有源结构，终端结构围绕FRD芯片的有源结构设置在外延片中，衬底向外延片延伸的方向为深度方向，终端结构包括：终端耐压环数量为一个，设置在外延片中；终端截止环设置在终端耐压环的远离有源结构的一侧的外延片中，其中衬底、外延片和终端截止环的掺杂离子类型相同，终端耐压环和外延片的掺杂离子为反型离子。将终端耐压环设置为一个，使得终端结构相对于现有技术中分压环的方案所占面积大大减小且该终端耐压环起到足够的耐压性能，因此，提高了芯片的导电能力且减小了制作终端耐压环的成本。

公开(公告)号：CN106653824A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610913275.3

申请日：2016-10-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 何昌 ,  肖婷 ,  包海涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和终端耐压区的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的分压环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各分压环时，为避免各分压环相互连接时需要在各分压环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。