一种衰减器芯片
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119766181A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411936134.4

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明公开一种衰减器芯片,该芯片由第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、输入焊盘、输出焊盘串联成主路,第三薄膜电阻与第四薄膜电阻并联接地,四个薄膜电阻共同构成纯T型电阻衰减结构。在传统的T型衰减器的结构上,将传统单接地薄膜电阻分成两个并联接地薄膜电阻,具有更好的对称性。纯电阻衰减器结构具备平坦的频率响应,可以在宽频范围内保持一致的衰减效果,同时成本低廉结构简单,应用广泛。另外,接地片与接地面通过接地通孔导通,该种结构增强了信号的对称性,从而提高了信号的稳定性。此外,在连接薄膜电阻的传输线上采用蛇形迂回设计,更好的保证了性能。本发明提供的衰减器芯片使用更为灵活、体积更小、性能更优。

    添加MOF@Ag的石墨烯复合涂料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN120005423A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510031034.5

    申请日:2025-01-09

    Abstract: 本发明为添加MOF@Ag的石墨烯复合涂料、制备方法及应用,所述涂料包含以下重量份的原料:80~100份水性石墨烯、10~30份水性树脂、40~60份去离子水、10~18份生物硅藻土、8~10份磷酸锌、4~20份云母粉、5~30份ZIF‑8@Ag、2~4份固化促进剂、10~20份增稠防沉剂。所述石墨烯复合涂料用在纳米微通道包覆上,在纳米微通道采用超声波辅助喷涂形成涂层。涂层的抗菌性达到99%以上,同时抗腐蚀性达到1级。本发明有效提高了复合材料的抗菌效果及防腐性能,使得二者同时达到最优。

    一种陶瓷-纤维-金属超混杂层板及其制备方法

    公开(公告)号:CN114953617B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210400886.3

    申请日:2022-04-18

    Abstract: 本发明为一种陶瓷‑纤维‑金属超混杂层板及其制备方法,该层板包括待保护表面的陶瓷板、铺设在陶瓷板内侧的热塑性纤维增强树脂预浸料层、热固性纤维增强树脂预浸料和金属板交替铺设的结构,最外层的热固性纤维增强树脂预浸料铺设在热塑性纤维增强树脂预浸料层的内侧,金属板和陶瓷板上均加工出微米级或者纳米级孔洞。改变传统纤维金属层板外层金属直接与外界环境接触的结构形式,将需要保护的表面金属板替换成陶瓷板,陶瓷板的重量小于金属板,一定程度上达到了更加轻量化的目的,同时陶瓷的耐热性能显著强于普通金属及合金,将其置于最外层有效提升了层板的耐热性能,并且陶瓷能够利用受冲击后破碎来吸收冲击能量的特点,以达到保护层板内部结构的目的。

    一种陶瓷-纤维-金属超混杂层板及其制备方法

    公开(公告)号:CN114953617A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210400886.3

    申请日:2022-04-18

    Abstract: 本发明为一种陶瓷‑纤维‑金属超混杂层板及其制备方法,该层板包括待保护表面的陶瓷板、铺设在陶瓷板内侧的热塑性纤维增强树脂预浸料层、热固性纤维增强树脂预浸料和金属板交替铺设的结构,最外层的热固性纤维增强树脂预浸料铺设在热塑性纤维增强树脂预浸料层的内侧,金属板和陶瓷板上均加工出微米级或者纳米级孔洞。改变传统纤维金属层板外层金属直接与外界环境接触的结构形式,将需要保护的表面金属板替换成陶瓷板,陶瓷板的重量小于金属板,一定程度上达到了更加轻量化的目的,同时陶瓷的耐热性能显著强于普通金属及合金,将其置于最外层有效提升了层板的耐热性能,并且陶瓷能够利用受冲击后破碎来吸收冲击能量的特点,以达到保护层板内部结构的目的。

    一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109277561B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201811295209.X

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明为一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法。该方法通过放电等离子烧结将不同体积比铁磁形状记忆合金Ni52Mn34.5Ga23.5粉体和巨磁致伸缩合金Tb0.27Dy0.73Fe1.9粉体施加大脉冲电流,在被烧结的粉体之间产生放电,从而导致瞬间高温,促使样品快速烧结,从而制备出能够有效调控马氏体相变顺序的复合材料。本发明的制备工艺简单,成本低而且快捷。制备出的复合材料的马氏体相变顺序能够通过调控先驱材料的不同比例来进行调控,满足了一些在新型磁驱动器、磁转换器、敏感元件上的潜在应用要求。

    一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105449103B

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201510783542.5

    申请日:2015-11-15

    CPC classification number: H01L51/4213 Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法,涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件,是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池,由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成,其中,钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级,在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷。

    砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法

    公开(公告)号:CN102313835B

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201110204341.7

    申请日:2011-07-21

    Abstract: 本发明的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法,涉及半导体材料电参数的测量方法,是通过一种非接触霍尔测量方法来测量砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料中的载流子浓度与迁移率,步骤是:采用微波霍尔测量装置测量被测量的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的入射功率、反射功率和霍尔效应微波功率;计算被测样品在不同磁场下的电导张量;砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的载流子浓度与迁移率的计算。本发明方法是一种非破坏性、便捷高效和准确测量砷化镓基双平面掺杂赝配高电子迁移率晶体管材料中载流子浓度与迁移率的方法,克服了现有测量方法中操作繁琐,效率低下,存在一定误差,以及不能真实完全地反应材料的电学性能的缺点。

    由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102103930B

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201010527939.5

    申请日:2010-11-02

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法,涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成,染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上,微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜,透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上,由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上,克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高,以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。

    开关磁阻电机电子齿轮功能实现装置及方法

    公开(公告)号:CN1848661A

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:CN200610013276.9

    申请日:2006-03-13

    Abstract: 本发明属于开关磁阻电机电子齿轮功能装置及实现方法。它主要包括:开关磁阻电机电子齿轮控制器、功率电路、键盘及显示电路、电流检测电路和位置检测电路和开关磁阻电机。开关磁阻电机分别与开关磁阻电机伺服控制器及电子齿轮电路和功率电路相连,开关磁阻电机电子齿轮控制器与功率电路、键盘及显示电路相连。利用位置检测电路检测到的开关磁阻电机转子位置及用户事先给定的电子齿轮齿数比,对电机转矩进行矢量相加,从而实现电子齿轮功能。结构简单,操作方便,成本低。可用于机器人、数控机床、雷达跟踪、火炮随动等系统,包括矿山、冶金、电力、化工、石油等行业,可以有效提高其动静态性能,可以降低机械结构复杂,提高控制精度。

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