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公开(公告)号：CN108192606A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810189200.4
申请日：2018-03-08
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/665 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明全无机钙钛矿量子点制备方法，涉及含无机发光材料，采用一锅法，无需先制备铯源的前驱体，将所需量的铅源和铯源，用配体溶解在有机溶剂中，经真空干燥后，在设定温度下注入卤素源，此时Pb、Cs和卤素X三种元素会相互作用，沉淀出CsPbX3全无机钙钛矿量子点，克服了现有技术存在的①反应物来源受限，室温条件制备方法的反应物是卤化铯和卤化铅，高温条件制备方法的反应物是碳酸铯和卤化铅，且只能是这两种物质反应；②元素之间的量比不能调节，即Pb和卤素X的量比受限于卤化铅反应物；③需要提前制备前驱体且预热的复杂步骤的三个缺陷。
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公开(公告)号：CN105990534B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610530793.7
申请日：2016-07-07
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件，包括下述步骤：1)制备光电转换层材料的前驱体溶液；2)制备透明导电基底；3)在步骤2)中制备好的透明导电基底上表面采用物理镀膜技术或旋涂法制备空穴传输层；4)利用半导体加工方式，在步骤3)得到的空穴传输层的上表面制备出骨架结构，所述半导体加工方式为胶体模板法、纳米压印法或紫外光刻法；5)以步骤4)中的骨架结构作为骨架，将步骤1)制备得到的光电转换层材料的前驱体溶液通过旋涂法旋涂在骨架结构的表面，形成光电转换层薄膜，至此得到光电转换层结构。
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公开(公告)号：CN107093657A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710315823.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0075
Abstract: 本发明涉及一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法，其特征在于该图形衬底包括平面衬底，在平面衬底的表面分布由薄膜材料层组成的微纳米阵列的薄膜腔体结构，所述薄膜腔体结构的壁厚为1‑500nm，薄膜腔体结构具有空腔，且薄膜腔体结构上端开口；所述空腔的宽度为100～10000纳米，高度为50～10000纳米；相邻薄膜腔体结构的间距为5～10000纳米。该图形衬底具有高密度的空气腔，空气腔由薄膜材料层围成，薄膜材料层和空气腔构成薄膜腔体结构，该薄膜腔体结构易变形能够有利于释放生长过程中的热应力，有利于提高外延氮化物的晶体质量和的光提取效率。
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公开(公告)号：CN105244442A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510802027.7
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/447 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0027
Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层上旋涂钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层，在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备背电极，最终制得由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。克服了现有技术中使用“层转移技术”的工艺环节多且复杂、得到的薄膜晶硅的尺寸较小、成品率较低和薄膜晶硅的厚度不能过薄的缺陷。
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公开(公告)号：CN109608941B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910041925.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种基于卤化物的全色荧光加密墨水及其应用方法。该墨水的红、绿和蓝三种基色墨水的配制，包括如下步骤：红色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第一混合溶剂中；绿色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第二混合溶剂中；蓝色基色墨水：将含溴化合物、含氯化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第三混合溶剂中；将所述的红、绿和蓝三种基色墨水装入三色墨盒中，作为热喷墨型打印机的打印墨盒。本发明采用反向阴离子的策略，能同时实现全彩荧光的信息显示，相比于单色的荧光模式，增大信息的储存容量，并且可以显示很多复杂图案信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109608941A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910041925.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种基于卤化物的全色荧光加密墨水及其应用方法。该墨水的红、绿和蓝三种基色墨水的配制，包括如下步骤：红色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第一混合溶剂中；绿色基色墨水：将含溴化合物、含碘化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第二混合溶剂中；蓝色基色墨水：将含溴化合物、含氯化合物和聚乙烯吡咯烷酮加入到第三混合溶剂中；将所述的红、绿和蓝三种基色墨水装入三色墨盒中，作为热喷墨型打印机的打印墨盒。本发明采用反向阴离子的策略，能同时实现全彩荧光的信息显示，相比于单色的荧光模式，增大信息的储存容量，并且可以显示很多复杂图案信息。
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公开(公告)号：CN107093657B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710315823.7
申请日：2017-05-08
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法，其特征在于该图形衬底包括平面衬底，在平面衬底的表面分布由薄膜材料层组成的微纳米阵列的薄膜腔体结构，所述薄膜腔体结构的壁厚为1‑500nm，薄膜腔体结构具有空腔，且薄膜腔体结构上端开口；所述空腔的宽度为100～10000纳米，高度为50～10000纳米；相邻薄膜腔体结构的间距为5～10000纳米。该图形衬底具有高密度的空气腔，空气腔由薄膜材料层围成，薄膜材料层和空气腔构成薄膜腔体结构，该薄膜腔体结构易变形能够有利于释放生长过程中的热应力，有利于提高外延氮化物的晶体质量和的光提取效率。
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公开(公告)号：CN105742425B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610261242.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，该结构在LED外延结构的P‑型半导体材料传输层中插入一层低势垒的P‑型半导体材料空穴能量调节层，其材质为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，式中，0≤x1≤1,0≤y1≤1,0≤1‑x1‑y1，厚度为1nm～300nm，其晶格常数大于P‑型半导体材料传输层Ⅰ和P‑型半导体材料传输层Ⅱ，其禁带宽度小于P‑型半导体材料传输层Ⅰ和P‑型半导体材料传输层Ⅱ。本发明利用极化电场增加空穴能量提高空穴注入效率，并且没有增加空穴势垒，克服了现有技术存在的空穴注入效率低，内量子效率不高的缺陷。
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公开(公告)号：CN105226187B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510785094.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
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公开(公告)号：CN105895765A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610257519.7
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P?型半导体材料传输层，其中电子能量调节层的相对介电常数为8.5～15.3，小于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，材料为n?型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n?型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现，克服了现有技术存在减小漏电子电流的同时却影响空穴的注入效率的缺陷。
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