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公开(公告)号：CN108732066A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710280609.2
申请日：2017-04-24
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明的一种接触角测量系统及其测量方法，具体涉及一种用于测量液体对固体的接触角，即液体对固体的浸润性的仪器，以及这种仪器的测量方法。所述接触角测量系统及其测量方法包括背景光源、样品台、液体进样模块、成像模块和图像分析软件模块构成，通过不同背光照明模式下的成像测量液体对固体边界的平均位置获得高精度测量液体对固体边界及接触角。本发明削减了白光色散现象、白光衍射、环境杂散光对接触角测量的成像精度的影响。
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公开(公告)号：CN108721070A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710280610.5
申请日：2017-04-24
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明的基于眼球追踪的智能视觉功能训练系统及其训练方法，具体涉及一种基于眼球追踪的视力增视训练系统及训练方法，是一种通过眼球追踪技术对受训者眼睛动作进行有效识别，及时、科学、高精度地引导受训者视力训练动作的智能视觉功能训练系统及其训练方法。所述智能视觉功能训练系统包括眼球追踪装置、显示与声音装置、输入装置、控制装置。本发明与其他依靠受训者主观讲述等方式反馈视力跟踪效果的训练系统相比，具有迅速及时、准确客观的优势，这对后续视力训练适当设置起着重要的作用。并具有使训练内容丰富多彩。不但锻炼了受训者的视力，也可同时让受训者具有智力开发、娱乐休息的效果。
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公开(公告)号：CN107807157A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610819121.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明所制备的一种同时具有光敏特性和气敏特性的化学传感器涉及专门适用于对各种气体以及光照检测的半导体器件。本发明所制备的一种同时具有光敏特性和气敏特性的化学传感器，由化学传感器的敏感层、平面型镀Au陶瓷衬底、引线以及气敏传感器底座构成；所述的化学传感器的敏感层为CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液和WO3纳米粉末掺杂得到的薄膜层，平面陶瓷片上具有一层特殊材料的加热层以及镀Au的电极。通过制备CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液与WO3纳米粉末混合的化学传感器，不仅改善了传感器的气敏特性，提高了其对气体的灵敏度，而且这种化学传感器对光的敏感度很好，在光照强况下，降低了传感器的电阻值，从而使其对气体的灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN106972100A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610589388.2
申请日：2016-07-22
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L51/0077 , H01L2251/301
Abstract: 本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池由底部电极、N型氧化物半导体膜、C60电子薄膜、钙钛矿单晶光吸收层、单晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过磁控溅射获得的N型的氧化锌薄膜，C60电子薄膜是通过热蒸镀获得的一层缓冲层，钙钛矿单晶是钙钛矿结构的光吸收材料，空穴传输层是通过磁控溅射获得的P型单晶硅材料，底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜。本发明将钙钛矿单晶材料作为光吸收层，将P型单晶硅材料作为空穴传输层，获得了稳定、高效的太阳电池。
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公开(公告)号：CN105244442A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510802027.7
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/447 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0027
Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层上旋涂钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层，在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备背电极，最终制得由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。克服了现有技术中使用“层转移技术”的工艺环节多且复杂、得到的薄膜晶硅的尺寸较小、成品率较低和薄膜晶硅的厚度不能过薄的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108708506A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710230686.7
申请日：2017-04-05
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明的太阳能彩钢高分子卷材复合屋面系统涉及一种集太阳能发电、屋面防水为一体的屋面系统。本发明的太阳能彩钢高分子卷材复合屋面系统由通用光伏组件、纵向U型彩色涂层长钢板瓦、横向U型彩色涂层短钢板瓦、高分子防水卷材、保温隔热材料、檩条、紧固件构成；覆盖在U型彩色涂层钢板瓦围成的口字形的中空区域上的通用光伏组件实现系统的光伏发电功能，铺设于U型彩色涂层钢板瓦形成的U型槽中的高分子防水卷材实现系统的柔性防水功能。本发明突出优点是不需要在彩色涂层钢板屋面上大量穿孔、不破坏传统轻质钢结构屋面的防水层，便于安装、维修。
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公开(公告)号：CN105449103A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510783542.5
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/4213 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4253 , H01L51/001
Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷。
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公开(公告)号：CN108691383A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710230575.6
申请日：2017-04-05
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明的适合多朝向屋面太阳能彩钢高分子卷材复合屋面系统涉及一种集太阳能发电、屋面防水为一体的屋面系统。本发明由通用光伏组件、适合多朝向屋面的口字型彩色涂层钢板瓦模块、高分子防水卷材、保温隔热材料、檩条、紧固件构成；覆盖在适合多朝向屋面的口字型彩色涂层钢板瓦模块的口字形的中空区域上的通用光伏组件实现系统的光伏发电功能，铺设于适合多朝向屋面的口字型彩色涂层钢板瓦模块相互搭接形成的主U型槽、次U型槽中的高分子防水卷材实现系统的柔性防水功能。本发明突出优点是模块化，能够在多朝向屋面上实现尽可能大的发电效率和良好的防水效果，便于安装、维护。
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公开(公告)号：CN105226187B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510785094.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
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公开(公告)号：CN105428535A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510782696.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0003
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的采用耐高温不透明导电基底的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，步骤是：在耐高温不透明导电基底上制备P型晶硅薄膜层；在P型薄膜晶硅上制备电子空穴复合抑制结构层；在电子空穴复合抑制结构层上旋涂钙钛矿光吸收层；在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层；在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备顶电极。本发明方法克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路和玻璃基底对后续制备工艺的高温环节的限制的缺陷。
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