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公开(公告)号：CN100367476C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510013264.1
申请日：2005-04-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/324 , F27B17/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅热处理装置和方法。热处理装置至少包括一个密封炉室、炉室内设置旋转加热平台、高频感应加热器和样品保护罩构成。采用高频感应加热法代替现有的电阻率加热；高频感应加热器对石墨圆板加热，石墨圆板旋转，1500-1700℃下恒温加热0.5-2.0小时。本发明将区熔单晶的部分工艺与热处理相结合构成了新的热处理工艺，为SiC热处理提供了一个可靠的方法。
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公开(公告)号：CN109277561A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811295209.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法。该方法通过放电等离子烧结将不同体积比铁磁形状记忆合金Ni52Mn34.5Ga23.5粉体和巨磁致伸缩合金Tb0.27Dy0.73Fe1.9粉体施加大脉冲电流，在被烧结的粉体之间产生放电，从而导致瞬间高温，促使样品快速烧结，从而制备出能够有效调控马氏体相变顺序的复合材料。本发明的制备工艺简单，成本低而且快捷。制备出的复合材料的马氏体相变顺序能够通过调控先驱材料的不同比例来进行调控，满足了一些在新型磁驱动器、磁转换器、敏感元件上的潜在应用要求。
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公开(公告)号：CN109175370A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811295227.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有磁场调控马氏体相变的复合材料的制备方法。该方法采用Tb0.27Dy0.73Fe1.9和Mn48Co4Ni28Ga20两种材料，按照不同的比例，颗粒度均匀混合，设定不同的烧结温度，采用等离子烧结的方法，在外加磁场下，把稀土巨磁致伸缩材料的磁致伸缩作为应力来诱导出铁磁形状记忆合金材料可观的马氏体相变或马氏体变体重排。本发明材料能够在较低磁场、分布在0-380K温区内工作，磁场对相变温度的影响效率最高达41K/T。
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公开(公告)号：CN112899543A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110060135.7
申请日：2021-01-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料及其制备方法。该材料化学式为：CoFeCrAl1‑xGax，其中0＜x＜1；其中，Co、Fe、Cr、Al、Ga的原子比为1:1:1:1‑x:x。制备方法中，将单质金属加入到加入到非自耗电弧炉中，在直流电流为60‑150A下进行熔炼，得到铸锭合金；再进行热工艺处理，然后投入冰水混合物当中进行淬火处理，最终得到电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料。本发明材料具备高熵合金高强度、高硬度、高耐磨性以及高耐腐蚀性的优点，在高达1000℃的高温环境下仍具有抗氧化性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109277561B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811295209.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法。该方法通过放电等离子烧结将不同体积比铁磁形状记忆合金Ni52Mn34.5Ga23.5粉体和巨磁致伸缩合金Tb0.27Dy0.73Fe1.9粉体施加大脉冲电流，在被烧结的粉体之间产生放电，从而导致瞬间高温，促使样品快速烧结，从而制备出能够有效调控马氏体相变顺序的复合材料。本发明的制备工艺简单，成本低而且快捷。制备出的复合材料的马氏体相变顺序能够通过调控先驱材料的不同比例来进行调控，满足了一些在新型磁驱动器、磁转换器、敏感元件上的潜在应用要求。
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公开(公告)号：CN109175370B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811295227.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有磁场调控马氏体相变的复合材料的制备方法。该方法采用Tb0.27Dy0.73Fe1.9和Mn48Co4Ni28Ga20两种材料，按照不同的比例，颗粒度均匀混合，设定不同的烧结温度，采用等离子烧结的方法，在外加磁场下，把稀土巨磁致伸缩材料的磁致伸缩作为应力来诱导出铁磁形状记忆合金材料可观的马氏体相变或马氏体变体重排。本发明材料能够在较低磁场、分布在0‑380K温区内工作，磁场对相变温度的影响效率最高达41K/T。
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公开(公告)号：CN102129905A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010599096.X
申请日：2010-12-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料。该材料的化学式为：VxCoyNzMw，其中，N是III-V族元素；M为过渡族元素；2≥x＞1，2＞y≥0，z＝1，1≥w≥0，x+y+z+w＝4。该材料的制备方法为(1).按化学式VxCoyNzMw配比称料放入电弧坩埚内，其中，(2).将电弧炉抽真空到1×10-1-1×10-6Pa后，充入氩气，在0.01MPa到1MPa正压力或者流动氩气的保护下进行电弧熔炼2-3分钟，后冷却；重复熔炼3-5次，使合金材料分布均匀，最后得到产品。本发明的半金属磁性材料自旋极化率在90-100％之间，在实际测量上在80-96.2％之间，表现出了极高的材料自旋极化率。
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公开(公告)号：CN1667803A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510013264.1
申请日：2005-04-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/324 , F27B17/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅热处理装置和方法。热处理装置至少包括一个密封炉室、炉室内设置旋转加热平台、高频感应加热器和样品保护罩构成。采用高频感应加热法代替现有的电阻率加热；高频感应加热器对石墨圆板加热，石墨圆板旋转，1500－1700℃下恒温加热0.5－2.0小时。本发明将区熔单晶的部分工艺与热处理相结合构成了新的热处理工艺，为SiC热处理提供了一个可靠的方法。
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