公开(公告)号：CN102313835B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201110204341.7

申请日：2011-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 杨瑞霞 ,  王伟 ,  武一宾 ,  牛晨亮

IPC: G01R19/08 ,  G01R29/12 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法，涉及半导体材料电参数的测量方法，是通过一种非接触霍尔测量方法来测量砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料中的载流子浓度与迁移率，步骤是：采用微波霍尔测量装置测量被测量的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的入射功率、反射功率和霍尔效应微波功率；计算被测样品在不同磁场下的电导张量；砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的载流子浓度与迁移率的计算。本发明方法是一种非破坏性、便捷高效和准确测量砷化镓基双平面掺杂赝配高电子迁移率晶体管材料中载流子浓度与迁移率的方法，克服了现有测量方法中操作繁琐，效率低下，存在一定误差，以及不能真实完全地反应材料的电学性能的缺点。

公开(公告)号：CN102313835A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110204341.7

申请日：2011-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 杨瑞霞 ,  王伟 ,  武一宾 ,  牛晨亮

IPC: G01R19/08 ,  G01R29/12 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法，涉及半导体材料电参数的测量方法，是通过一种非接触霍尔测量方法来测量砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料中的载流子浓度与迁移率，步骤是：采用微波霍尔测量装置测量被测量的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的入射功率、反射功率和霍尔效应微波功率；计算被测样品在不同磁场下的电导张量；砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的载流子浓度与迁移率的计算。本发明方法是一种非破坏性、便捷高效和准确测量砷化镓基双平面掺杂赝配高电子迁移率晶体管材料中载流子浓度与迁移率的方法，克服了现有测量方法中操作繁琐，效率低下，存在一定误差，以及不能真实完全地反应材料的电学性能的缺点。