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公开(公告)号：CN119491172A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411688369.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有超高磁热性能的块体非晶及其制备方法。该块体非晶的成分为FeaPbCc，其中a、b、c为原子百分比，并且满足80≤a≤82，11≤b≤14，6≤x≤9，且a+b+c=100。在制备过程中，利用Fluxing技术对合金锭进行提纯处理，提高材料的非晶形成能力，然后使用铜模喷铸技术制备出FePC块体非晶合金。该非晶的饱和磁化强度为1.51~1.64 T；在外加磁场为5 T时，磁熵变值为5.9~7.9 J/(kg K)，制冷能力为438~472 J/kg；本发明采用自然界常见的Fe、P和C三种元素，价格低廉，极大降低了成本，得到具有优异磁热性能的三元铁基块体非晶合金。
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公开(公告)号：CN106971805A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610884089.1
申请日：2016-10-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有磁性连续变化的高自旋极化率材料，该材料化学式为：CoFe1‑xTi1+xAl，其中0＜x＜1；具有高匹配度的半导体和高自旋极化率的磁性连续变化的材料，其自旋极化率高达百分之百，从而解决半金属/半导体复合材料的失配问题，在实际应用中，可以根据对不同磁性的需求而选择不同的x值，在制备该材料时，根据x的取值称量原料。
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公开(公告)号：CN118143730A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410418912.4
申请日：2024-04-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: B23Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于铁磁形状记忆合金的主轴减振结构，涉及机床减振技术领域，包括记忆合金安装组件；记忆合金板，记忆合金板设有多个且嵌设于记忆合金安装组件上；磁场发生组件，磁场发生组件通过夹持组件设于主轴上，且磁场发生组件用于产生磁场，并与记忆合金板配合使用。通过磁场来影响记忆合金板的马氏体相变行为，控制其双向形状记忆效应。其基本机制是通过磁场影响相变过程中马氏体的形变，从而改变马氏体变体的自协作状态，达到控制其形状记忆的效果。通过这种马氏体相变行为可以产生振动，振动传到至主轴上，并对主轴的振动状态造成干扰，破坏主轴切削过程中的共振，进而减少机床的共振现象，另外结构较为简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN109277561B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811295209.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法。该方法通过放电等离子烧结将不同体积比铁磁形状记忆合金Ni52Mn34.5Ga23.5粉体和巨磁致伸缩合金Tb0.27Dy0.73Fe1.9粉体施加大脉冲电流，在被烧结的粉体之间产生放电，从而导致瞬间高温，促使样品快速烧结，从而制备出能够有效调控马氏体相变顺序的复合材料。本发明的制备工艺简单，成本低而且快捷。制备出的复合材料的马氏体相变顺序能够通过调控先驱材料的不同比例来进行调控，满足了一些在新型磁驱动器、磁转换器、敏感元件上的潜在应用要求。
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公开(公告)号：CN109175370B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811295227.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有磁场调控马氏体相变的复合材料的制备方法。该方法采用Tb0.27Dy0.73Fe1.9和Mn48Co4Ni28Ga20两种材料，按照不同的比例，颗粒度均匀混合，设定不同的烧结温度，采用等离子烧结的方法，在外加磁场下，把稀土巨磁致伸缩材料的磁致伸缩作为应力来诱导出铁磁形状记忆合金材料可观的马氏体相变或马氏体变体重排。本发明材料能够在较低磁场、分布在0‑380K温区内工作，磁场对相变温度的影响效率最高达41K/T。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711248A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611097870.0
申请日：2016-12-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。
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公开(公告)号：CN103022345A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210585022.X
申请日：2012-12-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本发明涉及一种隧穿磁电阻多层膜材料，涉及应用多层磁性层的静态存储器，是一系列具有高自旋极化率界面的(CoTiSb)x/Fey/(CoTiSb)z超晶格结构的TMR多层膜材料，其中x,y,z为各个成分的原子层数，所述超晶格结构是以三层膜为基本单元沿半Heusler结构CoTiSb单晶[100]方向共格生长，并能够以基本单元为基础周期性延伸的多层膜结构，并且在插入的Fe层及其诱导出的高自旋极化层中，少量的空位或岛状缺陷不会对材料的高自旋极化率有大的影响。该材料克服了现有技术中，实际应用的TMR材料的多层膜界面不匹配和不同层间材料的电子结构不匹配对材料实际自旋极化率和磁电阻都会产生不利影响的缺陷。
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公开(公告)号：CN102129905A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010599096.X
申请日：2010-12-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料。该材料的化学式为：VxCoyNzMw，其中，N是III-V族元素；M为过渡族元素；2≥x＞1，2＞y≥0，z＝1，1≥w≥0，x+y+z+w＝4。该材料的制备方法为(1).按化学式VxCoyNzMw配比称料放入电弧坩埚内，其中，(2).将电弧炉抽真空到1×10-1-1×10-6Pa后，充入氩气，在0.01MPa到1MPa正压力或者流动氩气的保护下进行电弧熔炼2-3分钟，后冷却；重复熔炼3-5次，使合金材料分布均匀，最后得到产品。本发明的半金属磁性材料自旋极化率在90-100％之间，在实际测量上在80-96.2％之间，表现出了极高的材料自旋极化率。
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公开(公告)号：CN112899543A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110060135.7
申请日：2021-01-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料及其制备方法。该材料化学式为：CoFeCrAl1‑xGax，其中0＜x＜1；其中，Co、Fe、Cr、Al、Ga的原子比为1:1:1:1‑x:x。制备方法中，将单质金属加入到加入到非自耗电弧炉中，在直流电流为60‑150A下进行熔炼，得到铸锭合金；再进行热工艺处理，然后投入冰水混合物当中进行淬火处理，最终得到电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料。本发明材料具备高熵合金高强度、高硬度、高耐磨性以及高耐腐蚀性的优点，在高达1000℃的高温环境下仍具有抗氧化性。
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公开(公告)号：CN106711248B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201611097870.0
申请日：2016-12-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。
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