公开(公告)号：CN102103930A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010527939.5

申请日：2010-11-02

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘守彬 ,  田汉民 ,  杨瑞霞 ,  田学民 ,  王伟 ,  杨帆 ,  赵红东 ,  吕俊 ,  李毅杰

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成，染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上，由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上，克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高，以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。

公开(公告)号：CN102103930B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010527939.5

申请日：2010-11-02

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘守彬 ,  田汉民 ,  杨瑞霞 ,  田学民 ,  王伟 ,  杨帆 ,  赵红东 ,  吕俊 ,  李毅杰

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成，染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上，由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上，克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高，以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。