公开(公告)号：CN117913127A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311708465.8

申请日：2023-12-12

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 银登杰 ,  贺振卿 ,  高军 ,  徐俊 ,  操国宏 ,  唐革 ,  郭润庆 ,  李勇 ,  喻思源

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提出了一种软恢复二极管及其制作方法。所述软恢复二极管包括阳极金属片，所述阳极金属片的一侧设置有第一金属层；半导体芯片，所述半导体芯片的阳极面设置有第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层均包括至少一个子层；焊接层，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述焊接层连接，所述焊接层靠近所述第一金属层的一侧具有与所述第一金属层形成的金属间化合物，所述焊接层靠近所述第二金属层的一侧具有与所述第二金属层形成的金属间化合物。该软恢复二极管能够有效改善现有软恢复二极管工作结温低、直流阻断能力弱、反向雪崩电压耐受能力弱、通流能力低的问题。