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公开(公告)号:CN109119352B
公开(公告)日:2020-10-16
申请号:CN201710498176.8
申请日:2017-06-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种管芯参数测试方法、适配装置及该装置的安装方法,装置包括:阴极适配器和阳极适配器,管芯设置于阴极适配器与阳极适配器之间。阴极适配器包括阴极垫板、阴极块和门极件,阴极垫板、阴极块采用导电材料。阴极垫板设置有与管芯的门极图形对应的阴极垫板槽。门极件设置于阴极垫板槽中,并在测试时与管芯的门极相连。阴极垫板的一面与管芯的阴极相装配,另一面与阴极块相装配。阳极适配器进一步包括阳极块,及用于固定管芯的定位圈,阳极块采用导电材料,定位圈设置于阳极块的一面。阳极块设置有定位圈的一面在管芯测试时与管芯的阳极相装配。本发明能够解决传统管芯测试适配器需逐片装放与拆卸,测试效率和准确性不高的技术问题。
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公开(公告)号:CN111106071B
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN201811261306.7
申请日:2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/057 , H01L21/52
Abstract: 本发明提出了一种适用于紧凑型高功率模块的晶闸管及其制备方法,本发明的晶闸管包括依次连接的晶闸管管盖、晶闸管芯片及晶闸管管座,所述晶闸管的门极信号从位于晶闸管管盖的阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出。本发明的晶闸管的门极信号从阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出,在具备传统晶闸管元件强度高、气密性好、耐高压、绝缘性能好的优点的同时,门极采用插接方式,在使用过程中无需再焊接门极引线。
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公开(公告)号:CN117913127A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202311708465.8
申请日:2023-12-12
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/28
Abstract: 本发明提出了一种软恢复二极管及其制作方法。所述软恢复二极管包括阳极金属片,所述阳极金属片的一侧设置有第一金属层;半导体芯片,所述半导体芯片的阳极面设置有第二金属层,所述第一金属层和所述第二金属层均包括至少一个子层;焊接层,所述第一金属层和所述第二金属层通过所述焊接层连接,所述焊接层靠近所述第一金属层的一侧具有与所述第一金属层形成的金属间化合物,所述焊接层靠近所述第二金属层的一侧具有与所述第二金属层形成的金属间化合物。该软恢复二极管能够有效改善现有软恢复二极管工作结温低、直流阻断能力弱、反向雪崩电压耐受能力弱、通流能力低的问题。
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公开(公告)号:CN111106069B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201811259684.1
申请日:2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管管壳,其包括彼此连接的晶闸管管盖和晶闸管管座,晶闸管的门极信号沿所述晶闸管管盖包括的阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出。应用本发明的晶闸管管壳,晶闸管的门极信号沿阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出,而并非从位于阳极管座周向侧的瓷环引出,使得晶闸管能够应用于紧凑型高功率模块,大大拓宽了晶闸管的应用范围。
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