公开(公告)号：CN1299344C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 一种半导体器件的测试设备，包括：设在第一平片部分上且形成在所述第一平片部分一主表面上的凸出部，用于与被测半导体器件的电极相连；在与所述主表面相反的表面上设置的焊接点；和电连接所述凸出部和所述焊接点的导电部件，其中，所述第一平片部分上形成有凸出部的区域比其它区域易于变形，并且，其中，形成有所述凸出部的区域的第一平片部分厚度比其它区域的第一平片部分厚度薄。

公开(公告)号：CN1155070C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99804201.3

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

公开(公告)号：CN1248792A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99120217.1

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野龙治 ,  有贺昭彦 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  金丸昌敏 ,  细金敦 ,  田中伸司 ,  伴直人 ,  青木英之

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/66 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后,在检查步骤中,使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片,在随后的检查步骤中,对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺,由此可以提高检查效率并减少检查成本。

公开(公告)号：CN1207767C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN99120217.1

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野龙治 ,  有贺昭彦 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  金丸昌敏 ,  细金敦 ,  田中伸司 ,  伴直人 ,  青木英之

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后，在检查步骤中，使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片，在随后的检查步骤中，对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺，由此可以提高检查效率并减少检查成本。

公开(公告)号：CN1538515A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

公开(公告)号：CN1293824A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN99804201.3

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。