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公开(公告)号：CN1665027A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410081801.1
申请日：2004-12-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/10
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片2叠层到叠层起来的多个半导体元件1的上面。在多个半导体元件1的下面，配置Si内插板3和树脂基板内插板4。Si内插板3配置在树脂内插板4与多个半导体元件1之间，厚度比半导体元件1的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板4的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件1的线膨胀系数的线膨胀系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424870C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410076668.0
申请日：2004-04-29
Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/00
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/50 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/01005
Abstract: 一种半导体模块，其特征是包括：具有半导体元件、配线基板、和在上述半导体元件的与上述配线基板侧的面相对侧的面上形成的第1有机膜的半导体封装，上述配线基板具有连接上述半导体元件的配线构件和连接上述配线构件的外部端子；以及装载上述半导体封装的安装基板；第1上述半导体封装和第2上述半导体封装相层叠；在上述第1半导体封装的上述配线基板与上述第2半导体封装的上述第1有机膜之间、以及上述安装基板与上述半导体封装之间，具有第2有机膜。
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公开(公告)号：CN100411172C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410081801.1
申请日：2004-12-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/10
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片(2)叠层到叠层起来的多个半导体元件(1)的上面。在多个半导体元件(1)的下面，配置Si内插板(3)和树脂基板内插板(4)。Si内插板(3)配置在树脂内插板(4)与多个半导体元件(1)之间，厚度比半导体元件(1)的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板(4)的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件(1)的线膨胀系数的线膨胀系数。
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公开(公告)号：CN1574343A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410076668.0
申请日：2004-04-29
Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/00
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/50 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/01005
Abstract: 一种半导体模块，其特征是包括：具有半导体元件、配线基板和在上述半导体元件的与上述配线基板侧的面相对侧的面上形成的第1有机膜的半导体封装，上述配线基板具有连接上述半导体元件的配线构件和连接上述配线构件的外部端子；以及装载上述半导体封装的安装基板；第1上述半导体封装和第2上述半导体封装相层叠；在上述第1半导体封装的上述配线基板与上述第2半导体封装的上述第1有机膜之间以及上述安装基板与上述半导体封装之间，具有第2有机膜。
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公开(公告)号：CN100452393C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610074082.X
申请日：2006-04-04
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/03 , H01L23/367
CPC classification number: G11C5/00 , G11C5/143 , H01L23/367 , H01L25/105 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H05K1/181 , H01L2924/00
Abstract: 在存储器模块中，排列多个半导体存储器插件并安装在模块基板上，并且将控制半导体插件配置在半导体存储器插件的排列的中央部、且安装在模块基板上。相对于半导体存储器插件的排列方向非热连接地设置有：与控制半导体插件热连接的控制半导体用散热器和与多个半导体存储器插件热连接的半导体存储器用散热器。
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公开(公告)号：CN1848428A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610074082.X
申请日：2006-04-04
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/03 , H01L23/367
CPC classification number: G11C5/00 , G11C5/143 , H01L23/367 , H01L25/105 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H05K1/181 , H01L2924/00
Abstract: 在存储器模块中，排列多个半导体存储器插件并安装在模块基板上，并且将控制半导体插件配置在半导体存储器插件的排列的中央部、且安装在模块基板上。相对于半导体存储器插件的排列方向非热连接地设置有：与控制半导体插件热连接的控制半导体用散热器、和与多个半导体存储器插件热连接的半导体存储器用散热器。
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