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公开(公告)号：CN1213470C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN02142184.6
申请日：2002-08-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/66 , G11C11/419
CPC classification number: H01L22/32 , G11C29/04 , G11C29/1201 , G11C2029/1206 , H01L22/34 , H01L2224/05554
Abstract: 即使是缩小了芯片尺寸、缩小了焊盘间距的半导体器件也能利用检查装置有效地进行检查的半导体器件。在半导体器件(1)的两端部上形成多个焊盘(2a、2b)，在半导体器件(1)的左端一侧配置输入焊盘组(2a)，在半导体器件(1)的右端一侧配置输入输出焊盘组(2b)，在半导体器件(1)的右端上侧部配置BIST电路(10)，将BIST用的焊盘分割在半导体器件(1)的两端，将BIST电路(10)附近的焊盘定为专用焊盘(3a)，将其它焊盘定为共用焊盘(3b)，将焊盘(3a)和(3b)分割为半导体器件(1)的上下区域。没有必要只在检查装置的上部区域或下部区域中形成多个梁，也可消除强度的问题和制作上的困难。
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公开(公告)号：CN1155070C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99804201.3
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。
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公开(公告)号：CN1538515A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410042010.8
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。
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公开(公告)号：CN1293824A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN99804201.3
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1299344C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410042010.8
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 一种半导体器件的测试设备，包括：设在第一平片部分上且形成在所述第一平片部分一主表面上的凸出部，用于与被测半导体器件的电极相连；在与所述主表面相反的表面上设置的焊接点；和电连接所述凸出部和所述焊接点的导电部件，其中，所述第一平片部分上形成有凸出部的区域比其它区域易于变形，并且，其中，形成有所述凸出部的区域的第一平片部分厚度比其它区域的第一平片部分厚度薄。
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公开(公告)号：CN1345086A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01135367.8
申请日：2001-09-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R31/2831
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路器件的测试设备和制造方法,在晶片级老化测试过程中,通过设置分割的接触器均衡接触到晶片的整个表面、使得可以对各接触器进行维修以及提高接触器的生产率,该方法可以降低制造成本。测试设备中机械加压系统的盒式结构的构成包括:多个分割的硅接触器块和用于集成这些硅接触器块的导架,并且盒式结构采用了分割的接触器集成型的晶片整个表面同步接触系统。因此,通过用机械方法压可以独立运动的各硅接触器块,可以均衡设置硅接触器的各探针以预定压力与测试晶片的各芯片的各测试用焊盘接触,将测试控制信号送到各芯片并且对于晶片级老化测试过程可以获得此测试结果信号。
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公开(公告)号：CN1290034A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00129032.0
申请日：2000-09-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/0483 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 封装装置,其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件,检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针,封装装置包括多个孔,用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件,而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系是使半导体器件之间按垂直于半导体厚度方向的方向保持恒定的间距,和多个导电件,用于分别与半导体器件的电极电连接,并伸到封装装置外面,使探针与每个导电件连接。
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公开(公告)号：CN1170311C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN00129032.0
申请日：2000-09-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/0483 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件的制造方法和封装装置，其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件，检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针，封装装置包括多个孔，用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件，而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系是使半导体器件之间按垂直于半导体厚度方向的方向保持恒定的间距，和多个导电件，用于分别与半导体器件的电极电连接，并伸到封装装置外面，使探针与每个导电件连接。
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公开(公告)号：CN1404123A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02142184.6
申请日：2002-08-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/66 , G11C11/419
CPC classification number: H01L22/32 , G11C29/04 , G11C29/1201 , G11C2029/1206 , H01L22/34 , H01L2224/05554
Abstract: 即使是缩小了芯片尺寸、缩小了焊盘间距的半导体器件也能利用检查装置有效地进行检查的半导体器件。在半导体器件1的两端部上形成多个焊盘2a、2b，在半导体器件1的左端一侧配置输入焊盘组2a，在半导体器件1的右端一侧配置输入输出焊盘组2b。在半导体器件1的右端上侧部配置BIST电路10，将BIST用的焊盘分割在半导体器件1的两端，将BIST电路10附近的焊盘定为专用焊盘3a，将其它焊盘定为共用焊盘3b，将焊盘3a和3b分割为半导体器件1的上下区域。没有必要只在检查装置的上部区域或下部区域中形成多个梁，也可消除强度的问题和制作上的困难。
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