公开(公告)号：CN103477182A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201180070255.X

申请日：2011-04-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田裕之 ,  芦田喜章 ,  宫岛健太郎

IPC: G01B7/16

CPC classification number: H01L41/04 ,  G01B7/18 ,  G01L1/2206 ,  G01L1/2293 ,  G01M5/0033 ,  G01M5/0083

Abstract: 本发明提供一种力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块。力学量测定装置(100)中，能测定作用于半导体基板(1)的力学量的测定部(7)设置在半导体基板(1)的中央部(1c)，半导体基板(1)被粘贴于被测定物并间接地测定作用于被测定物的力学量，其中，在半导体基板(1)的中央部(1c)的外侧的外周部(1e)具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合(5)的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)，形成集合(5)之一的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)被互相连接并形成惠斯通电桥(2a、2b)。由此，力学量测定装置(100)能够可靠地感知自身的剥离。

公开(公告)号：CN103477182B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201180070255.X

申请日：2011-04-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田裕之 ,  芦田喜章 ,  宫岛健太郎

IPC: G01B7/16

CPC classification number: H01L41/04 ,  G01B7/18 ,  G01L1/2206 ,  G01L1/2293 ,  G01M5/0033 ,  G01M5/0083

Abstract: 本发明提供一种力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块。力学量测定装置(100)中，能测定作用于半导体基板(1)的力学量的测定部(7)设置在半导体基板(1)的中央部(1c)，半导体基板(1)被粘贴于被测定物并间接地测定作用于被测定物的力学量，其中，在半导体基板(1)的中央部(1c)的外侧的外周部(1e)具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合(5)的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)，形成集合(5)之一的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)被互相连接并形成惠斯通电桥(2a、2b)。由此，力学量测定装置(100)能够可靠地感知自身的剥离。

公开(公告)号：CN104350366A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280073469.7

申请日：2012-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 芦田喜章 ,  太田裕之 ,  岛津博美 ,  笠井宪一

IPC: G01L1/18 ,  G01L1/22

CPC classification number: G01L1/2293 ,  G01L1/18 ,  G01L1/2243

Abstract: 在由单晶硅构成的半导体基板的表面侧具备测压元件，该测压元件包括形成了俯视时为四角形状的多个电阻元件的传感器芯片(1)和部件(2)。部件(2)包括负荷部(3)、固定底座部(4)和分别与负荷部(3)和固定底座部(4)相分离而配置在负荷部(3)与固定底座部(4)之间的起变形部(5)。并且，以半导体基板的单晶硅的 方向与载重方向平行的方式将传感器芯片(1)贴合到部件(2)的起变形部(5)的前侧面(2a)，并且多个电阻元件的长边方向相对于载重方向具有45度的角度。