公开(公告)号：CN1421932A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152632.X

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  三岛通宏 ,  中西克之

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/772 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的目的在于在具有使用特性相同的多个场效应晶体管的电路的半导体器件中，提供晶体管特性优良的可靠性高的半导体器件。采用在该晶体管中，把与已形成了理想的是特性相同的晶体管的有源区相邻的浅沟元件隔离的沟宽作成为相同的办法，使得归因于相邻的浅沟元件隔离而在有源区内产生的应力，在该晶体管彼此间变成为相同，因而具有可以得到相同特性晶体管的效果。

公开(公告)号：CN1293634C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02152632.X

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  三岛通宏 ,  中西克之

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/772 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的目的在于在具有使用特性相同的多个场效应晶体管的电路的半导体器件中，提供晶体管特性优良的可靠性高的半导体器件。采用在该晶体管中，把与已形成了理想的是特性相同的晶体管的有源区相邻的浅沟元件隔离的沟宽作成为相同的办法，使得归因于相邻的浅沟元件隔离而在有源区内产生的应力，在该晶体管彼此间变成为相同，因而具有可以得到相同特性晶体管的效果。