公开(公告)号：CN1093565C

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN98809356.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C9/00 ,  C22C29/00 ,  C22C32/00 ,  H01L23/373 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B22F1/0007 ,  C22C29/12 ,  C22C32/0021 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20-80体积%的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10-6-14×10-6/℃，导热率为30-325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1021174C

公开(公告)日：1993-06-09

申请号：CN89107539.9

申请日：1989-09-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中明 ,  井上広一 ,  山田一二 ,  宫崎邦夫 ,  三浦修 ,  荒川英夫 ,  横山宏 ,  永沼义男 ,  森原淳 ,  大内和纪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/057 ,  H01L23/467 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20752

Abstract: 计算机所采用的半导体组件，包含有装载半导体器件的绝缘基板、将半导体器件与外部空气隔绝密封的绝缘管帽、向半导体器件供电的电源线、向外部电路传送半导体器件的输出信号的信号线。信号线与绝缘基板垂直布线以防止绝缘基板的介电常数的影响。电源线在绝缘基板内形成。并经由平行于半导体器件装载面的导电层与外部引线相连接。

公开(公告)号：CN1275170A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN98809356.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C9/00 ,  C22C29/00 ,  C22C32/00 ,  H01L23/373 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B22F1/0007 ,  C22C29/12 ,  C22C32/0021 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20—80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃,导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1197151C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。

公开(公告)号：CN1402342A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02119923.X

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/373 ,  C22C9/00 ,  C22C29/12 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95％或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积％的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃，导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1377079A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6－14×10－6/℃,导热率为30－325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1041668A

公开(公告)日：1990-04-25

申请号：CN89107539.9

申请日：1989-09-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中明 ,  井上広一 ,  山田一二 ,  宫崎邦夫 ,  三浦修 ,  荒川英夫 ,  横山宏 ,  永沼义男 ,  森原淳 ,  大内和纪

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/057 ,  H01L23/467 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20752

Abstract: 计算机所采用的半导体组件，包含有装载半导体器件的绝缘基板、将半导体器件与外部空气隔绝密封的绝缘管帽、向半导体器件供电的电源线、向外部电路传送半导体器件的输出信号的信号线。信号线与绝缘基板垂直布线以防止绝缘基板的介电常数的影响。电源线在绝缘基板内形成。并经由平行于半导体器件装载面的导电层与外部引线相连接。