公开(公告)号：CN1272966A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN99800996.2

申请日：1999-04-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 金田润也 ,  近藤保夫 ,  板桥武之 ,  武内瀞士 ,  村中廉 ,  稻坦正寿 ,  青野泰久

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/70 ,  H01M4/02 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/622 ,  H01M4/623 ,  H01M4/64 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M6/10 ,  H01M10/05

Abstract: 一种锂二次电池,其制造方法包括:在粘附负极活性材料的铜薄片表面上形成氧化铜须,化学或电还原整个或部分氧化铜,如果需要的话,用镍镀覆铜片以在表面上形成针状突起。该锂二次电池可避免由于铜负极集流体的特性引起传统锂二次电池退化的缺陷。而且该锂二次电池有优良的充电/放电循环特性。

公开(公告)号：CN1275170A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN98809356.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C9/00 ,  C22C29/00 ,  C22C32/00 ,  H01L23/373 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B22F1/0007 ,  C22C29/12 ,  C22C32/0021 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20—80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃,导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1221039A

公开(公告)日：1999-06-30

申请号：CN98105249.5

申请日：1992-08-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 青野泰久 ,  池田伸三 ,  佑川正之 ,  加藤隆彦 ,  近藤保夫 ,  泉谷雅清 ,  福井宽 ,  儿玉英世 ,  茅野秀夫 ,  栗下裕明 ,  安田健

IPC: C22C38/50

CPC classification number: G21C3/07 ,  C22C1/1084 ,  C22C32/0068 ,  C22C33/0285 ,  G21Y2002/104 ,  G21Y2004/10 ,  Y02E30/40

Abstract: 耐热氮化物弥散强化合金,具有铁基铁素体钢或铁基奥氏体钢或镍基合金构成的基底金属,和增加基底金属耐热性的,弥散在基底金属的基体中的AlN颗粒和BN颗粒。这种耐热强化合金由于AlN颗粒或BN颗粒在其中的弥散而改善了其高温强度。

公开(公告)号：CN100565720C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610154088.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小室又洋 ,  佐通祐一 ,  小园裕三 ,  近藤保夫

IPC: H01F1/08

Abstract: 在NdFeB粉表面混合氟化物粉末而制作的磁粉及磁铁，氟化物的混合量与残留中间级通密度一起降低，能量积显著降低。以抑制这样的磁特性的降低为课题。为了解决所述课题，层状地形成氟化物，控制氧浓度和生成相还有氟化物的晶格常数。另外，让磁性材料具有含有稀土类元素的磁粉，在磁粉的表面形成含有碱土类元素或稀土类元素的氟化物，氟化物的氧浓度比磁粉的氧浓度高。

公开(公告)号：CN1945766A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610154088.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小室又洋 ,  佐通祐一 ,  小园裕三 ,  近藤保夫

IPC: H01F1/08

Abstract: 在NdFeB粉表面混合氟化物粉末而制作的磁粉及磁铁，氟化物的混合量与残留中间级通密度一起降低，能量积显著降低。以抑制这样的磁特性的降低为课题。为了解决所述课题，层状地形成氟化物，控制氧浓度和生成相还有氟化物的晶格常数。另外，让磁性材料具有含有稀土类元素的磁粉，在磁粉的表面形成含有碱土类元素或稀土类元素的氟化物，氟化物的氧浓度比磁粉的氧浓度高。

公开(公告)号：CN1093565C

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN98809356.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C9/00 ,  C22C29/00 ,  C22C32/00 ,  H01L23/373 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B22F1/0007 ,  C22C29/12 ,  C22C32/0021 ,  H01L23/3733 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20-80体积%的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10-6-14×10-6/℃，导热率为30-325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1040135C

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN92110123.6

申请日：1992-08-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 青野泰久 ,  池田伸三 ,  佑川正之 ,  加藤隆彦 ,  近藤保夫 ,  泉谷雅清 ,  福井宽 ,  儿玉英世 ,  茅野秀夫 ,  栗下裕明 ,  安田健

IPC: C22C38/40 ,  C22C33/02

CPC classification number: G21C3/07 ,  C22C1/1084 ,  C22C32/0068 ,  C22C33/0285 ,  G21Y2002/104 ,  G21Y2004/10 ,  Y02E30/40

Abstract: 耐热氮化物弥散强化合金，具有铁基铁素体钢或铁基奥氏体钢或镍基合金构成的基底金属，和增加基底金属耐热性的，弥散在基底金属的基体中的AlN颗粒和BN颗粒这种耐热强化合金由于AlN颗粒或BN颗粒在其中的弥散而改善了其高温强度。

公开(公告)号：CN1197151C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。

公开(公告)号：CN1402342A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02119923.X

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/373 ,  C22C9/00 ,  C22C29/12 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95％或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积％的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃，导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。

公开(公告)号：CN1377079A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02119922.1

申请日：1998-12-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 近藤保夫 ,  金田润也 ,  青野泰久 ,  阿部辉宜 ,  稻垣正寿 ,  斋藤隆一 ,  小池义彦 ,  荒川英夫

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6－14×10－6/℃,导热率为30－325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。