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公开(公告)号：CN1093565C
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN98809356.1
申请日：1998-12-07
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/6835 , B22F1/0007 , C22C29/12 , C22C32/0021 , H01L23/3733 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20-80体积%的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10-6-14×10-6/℃，导热率为30-325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102856308A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210219367.3
申请日：2012-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L25/072 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2924/00014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供功率半导体模块，其能够减少成为电磁故障等的原因的电压振动的产生。在多个绝缘基板（20、20’）中的各个绝缘基板上搭载的IGBT等半导体开关元件（50、50’）的各主电极（52、52’）通过导体部件（45）电连接。由此，可以抑制由于半导体开关元件的接合电容和寄生电感而导致的共振电压的产生。
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公开(公告)号：CN1197151C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02119922.1
申请日：1998-12-07
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，其包括具有散热片的绝缘衬底和安装在所述绝缘衬底上的半导体元件，其中，所述散热片用由铜和铜氧化物构成的复合材料制成，其特征在于所述铜的氧化物是氧化亚铜(Cu2O)，所述氧化亚铜的含量为20-80体积%。
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公开(公告)号：CN1402342A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02119923.X
申请日：1998-12-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/373 , C22C9/00 , C22C29/12 , C22C32/00 , C22C1/05
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率，高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料，所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95％或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积％的铜的氧化物，余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内，热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃，导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。
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公开(公告)号：CN1377079A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02119922.1
申请日：1998-12-07
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20－80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6－14×10－6/℃,导热率为30－325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。
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公开(公告)号：CN1275170A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN98809356.1
申请日：1998-12-07
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/6835 , B22F1/0007 , C22C29/12 , C22C32/0021 , H01L23/3733 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有低的热膨胀率,高的导热率和良好的塑性加工性的复合材料,所述复合材料可应用于半导体器件以及许多其它应用场合。所述复合材料由金属和热膨胀系数比所述金属小的无机粒子构成。其特征在于所述无机粒子分散的方式使95%或者更多的粒子(以横截面上的粒子面积表示)形成具有复杂构形的连接一起的聚集体。所述复合材料含有20—80体积%的铜的氧化物,余下部分是铜。其在室温至300℃的范围内,热膨胀系数为5×10－6—14×10－6/℃,导热率为30—325W/m·k。所述复合材料适于制作半导体器件的散热片和静电吸引器的介电片。
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