公开(公告)号：CN113053728A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011545248.8

申请日：2020-12-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿部博史 ,  太田乔 ,  石津岳明 ,  小林健司 ,  村元僚 ,  根来世 ,  奥谷学 ,  酒井渉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。

公开(公告)号：CN113053728B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202011545248.8

申请日：2020-12-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿部博史 ,  太田乔 ,  石津岳明 ,  小林健司 ,  村元僚 ,  根来世 ,  奥谷学 ,  酒井渉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。