公开(公告)号：CN101560058A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910134360.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 申贤哲 ,  具炳秀 ,  朴贵弘 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明公开一种可以同时清洗及蚀刻液晶显示装置用玻璃基板的组成物，具体地公开一种包含氟化物盐、无机酸、表面活性剂及水的蚀刻液组成物。若使用根据本发明的一实施例的蚀刻液，则可以同时进行清洗和蚀刻，由于容易调节蚀刻速度，可以制造希望厚度的玻璃基板，并且可以确保玻璃基板的膜均匀度、光透射性及色再现性。另外，不使用氢氟酸，从而可以确保废水处理及工序上的安全性。

公开(公告)号：CN102901713A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210244572.5

申请日：2012-07-13

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 洪振燮 ,  朴庆浩 ,  李期范

IPC: G01N21/35

Abstract: 本发明提供一种铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。本发明提供的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。

公开(公告)号：CN103635608A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280030638.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  李明翰 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C23F1/18 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/10 ,  C23F1/18 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开一种使用于半导体装置的包含铜的金属膜蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。本发明的金属膜蚀刻液组合物包含氟硼酸或氟硼酸和至少一种含氟化合物。利用根据本发明的蚀刻液组合物的包含铜的金属膜的蚀刻方法，在蚀刻时不仅不损伤下部的玻璃基板，而且可以一并蚀刻含铜多层金属膜，可以提高半导体装置的生产收率。本发明的蚀刻液组合物和利用其的蚀刻方法由于不使用硫酸盐，从而可以防止因错层及侵蚀造成的断路(Data Open)不良，另外，由于不使用有机酸能够进行蚀刻，从而具有可以解决与金属盐的析出问题，也可以得到图案微细化的优点。

公开(公告)号：CN101684408A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910205785.5

申请日：2009-09-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  朴贵弘 ,  申贤哲 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C09K13/10

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，包括：0.1-34wt％的过硫酸铵((NH 4 ) 2 S 2 O 8 )；0.1-9wt％的硝酸基化合物；0.1-10wt％的乙酸基化合物；0.2-5wt％的含氟基化合物；0.01-3wt％的含硼化合物；以及39-73wt％的水，但是不含唑基化合物。

公开(公告)号：CN1667514A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510053816.1

申请日：2005-03-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李期范 ,  李载求 ,  朴美仙 ,  金钟民 ,  李敏键

IPC: G03F7/20 ,  G01N21/35 ,  H01L21/027

CPC classification number: G01N21/359 ,  G01N1/2035 ,  G01N21/05 ,  G03F7/00 ,  H01L21/67086 ,  Y10T436/12

Abstract: 本发明公开了监控光刻过程所用多组分组合物的系统和方法，该光刻过程用于制造半导体器件、液晶显示设备等等，该组合物如光刻胶、剥离剂、显影剂、蚀刻剂、稀释剂、漂洗剂/清洁剂和蚀刻边胶清除剂。所述系统包括：组合物循环装置，其用于从贮存光刻过程所用组合物的储罐中抽取所述组合物，并将所抽取的组合物通过流动池循环回所述储罐；组合物分析装置，其用于测量流经所述流动池的组合物的吸光度，并从所测得的吸光度计算该组合物的至少一种组分的浓度；组分供应装置，其用于在某些组分的浓度低于预定水平时向所述储罐提供所缺乏的组分；及控制装置，其用于根据所述吸光度对所述组分供应装置进行控制，以调节所述组合物的每种组分的浓度。

公开(公告)号：CN102666780B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201080058576.3

申请日：2010-12-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴贵弘 ,  李期范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  崔正宪

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，是相对于本征半导体层有选择地蚀刻配置于电子元件的金属电极与所述本征半导体层之间的掺杂半导体层的蚀刻液，包括：过渡金属和/或过渡金属盐；以及氟酸和/或含氟无机盐。

公开(公告)号：CN101684408B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200910205785.5

申请日：2009-09-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  朴贵弘 ,  申贤哲 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C09K13/10

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，包括：0.1-34wt％的过硫酸铵((NH4)2S2O8)；0.1-9wt％的硝酸基化合物；0.1-10wt％的乙酸基化合物；0.2-5wt％的含氟基化合物；0.01-3wt％的含硼化合物；以及39-73wt％的水，但是不含唑基化合物。

公开(公告)号：CN102666780A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080058576.3

申请日：2010-12-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴贵弘 ,  李期范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  崔正宪

IPC: C09K11/08 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，是相对于本征半导体层有选择地蚀刻配置于电子元件的金属电极与所述本征半导体层之间的掺杂半导体层的蚀刻液，包括：过渡金属和/或过渡金属盐；以及氟酸和/或含氟无机盐。

公开(公告)号：CN101560058B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910134360.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 申贤哲 ,  具炳秀 ,  朴贵弘 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明公开一种可以同时清洗及蚀刻液晶显示装置用玻璃基板的组成物，具体地公开一种包含氟化物盐、无机酸、表面活性剂及水的蚀刻液组成物。若使用根据本发明的一实施例的蚀刻液，则可以同时进行清洗和蚀刻，由于容易调节蚀刻速度，可以制造希望厚度的玻璃基板，并且可以确保玻璃基板的膜均匀度、光透射性及色再现性。另外，不使用氢氟酸，从而可以确保废水处理及工序上的安全性。

公开(公告)号：CN100510969C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510053816.1

申请日：2005-03-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李期范 ,  李载求 ,  朴美仙 ,  金钟民 ,  李敏键

IPC: G03F7/20 ,  G01N21/35 ,  H01L21/027

CPC classification number: G01N21/359 ,  G01N1/2035 ,  G01N21/05 ,  G03F7/00 ,  H01L21/67086 ,  Y10T436/12

Abstract: 本发明公开了监控光刻过程所用多组分组合物的系统和方法，该光刻过程用于制造半导体器件、液晶显示设备等等，该组合物如光刻胶、剥离剂、显影剂、蚀刻剂、稀释剂、漂洗剂/清洁剂和蚀刻边胶清除剂。所述系统包括：组合物循环装置，其用于从贮存光刻过程所用组合物的储罐中抽取所述组合物，并将所抽取的组合物通过流动池循环回所述储罐；组合物分析装置，其用于测量流经所述流动池的组合物的吸光度，并从所测得的吸光度计算该组合物的至少一种组分的浓度；组分供应装置，其用于在某些组分的浓度低于预定水平时向所述储罐提供所缺乏的组分；及控制装置，其用于根据所述吸光度对所述组分供应装置进行控制，以调节所述组合物的每种组分的浓度。