公开(公告)号：CN111187625B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911085664.1

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫 ,  郑鸿

IPC: C09K13/06 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、硫酸盐化合物和水。

公开(公告)号：CN108018558B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201711043223.6

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 梁熙星 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/20 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明的一实施例提供一种蚀刻液组合物以及有机发光显示装置的制造方法，所述蚀刻液组合物相对于总重量包括：磷酸，50至70重量％；硝酸，0.5至5重量％；氯化物，0.1至1重量％；磺酸化合物，0.5至5重量％；以及水，20至40重量％。

公开(公告)号：CN111270236A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911217843.6

申请日：2019-12-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇奭 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  金承熙 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26

Abstract: 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。

公开(公告)号：CN109097774A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810631619.0

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫 ,  李大雨

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12

Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。

公开(公告)号：CN108203827A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711373532.X

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  郑在祐 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: C23F1/18 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

公开(公告)号：CN110387545B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201910328331.0

申请日：2019-04-23

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎布 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/30

Abstract: 本公开提供一种蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻剂组合物包括：18wt％至25wt％的第一有机酸化合物；15wt％至20wt％的第二有机酸化合物；8.1wt％至9.9wt％的无机酸化合物；1wt％至4.9wt％的磺酸化合物；10wt％至20wt％的硫酸氢盐化合物；1wt％至5wt％的含氮二羰基化合物；1wt％至5wt％的氨基酸衍生物化合物；0.1wt％至2wt％的含铁氧化剂化合物；以及余量的水。

公开(公告)号：CN115404482A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210579448.8

申请日：2022-05-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金炯式 ,  李相赫 ,  金龙会 ,  金荣光 ,  姜东浒 ,  申贤哲 ,  金成太 ,  李东勋 ,  李民惠 ,  李秉洙 ,  郑棊水

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。一实施例涉及的蚀刻液组合物包括9.0重量％至9.9重量％的无机酸化合物、5.0重量％至10.0重量％的无机盐化合物、35重量％至45重量％的有机酸化合物、10重量％至20重量％的乳酸盐系化合物、0.1重量％至1.0重量％的含氧的氮环型化合物以及用于使整个组合物的总重量成为100重量％的余量的水，上述无机酸化合物的酸解离常数(pKa)值为‑1.0至‑3.0。

公开(公告)号：CN110284139B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910207694.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇爽 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  沈枟亨 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明的实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、四‑氮环化合物、具有两个或更多个羰基的羰基环化合物和水，并且四‑氮环化合物和羰基环化合物的重量比为约1:0.1至约1:2。蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层并且可用于制造具有优异蚀刻图案特性的金属图案和阵列基板。

公开(公告)号：CN108203827B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201711373532.X

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  郑在祐 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

公开(公告)号：CN111234824A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911085578.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种用于蚀刻含银薄膜的蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、金属基氧化剂和水。