公开(公告)号：CN113345961B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202010950518.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口智明 ,  雁木比吕 ,  小林勇介 ,  蔵口雅彦 ,  高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  西脇达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。

公开(公告)号：CN113345961A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010950518.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口智明 ,  雁木比吕 ,  小林勇介 ,  蔵口雅彦 ,  高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  西脇达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。

公开(公告)号：CN106024782B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610119874.8

申请日：2016-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  大桥辉之

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。

公开(公告)号：CN104425616A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410427850.X

申请日：2014-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 饭岛良介 ,  高尾和人 ,  太田千春 ,  清水达雄 ,  四户孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/049 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第一电极、第一绝缘部和第二绝缘部。该第一半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并且包括第一部分和第二部分。该第二半导体区包括碳化硅，它是第二导电类型，并设于所述第二部分上。所述第三半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并被设置在所述第二半导体区上。所述第一电极设置在所述第一部分和所述第三半导体区上。所述第一绝缘部设置在第三半导体区上，并与所述第一电极并列。该第二绝缘部设置在所述第一电极与所述第一部分之间以及所述第一电极和所述第一绝缘部之间。

公开(公告)号：CN110416205B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201910675969.1

申请日：2016-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  大桥辉之

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。

公开(公告)号：CN104425616B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201410427850.X

申请日：2014-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 饭岛良介 ,  高尾和人 ,  太田千春 ,  清水达雄 ,  四户孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/049 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第一电极、第一绝缘部和第二绝缘部。该第一半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并且包括第一部分和第二部分。该第二半导体区包括碳化硅，它是第二导电类型，并设于所述第二部分上。所述第三半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并被设置在所述第二半导体区上。所述第一电极设置在所述第一部分和所述第三半导体区上。所述第一绝缘部设置在第三半导体区上，并与所述第一电极并列。该第二绝缘部设置在所述第一电极与所述第一部分之间以及所述第一电极和所述第一绝缘部之间。

公开(公告)号：CN112310216B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202010110623.X

申请日：2020-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 京極真也 ,  西尾让司 ,  饭岛良介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、电力变换装置、驱动装置、车辆及升降机。提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；碳化硅层，位于第1电极与第2电极之间，具有第1面和第2面，上述碳化硅层具有：在第1面在第1方向上延伸的第1沟槽、在第2方向上交替地配置的p型的第1碳化硅区域以及n型的第2碳化硅区域、位于第2碳化硅区域与第1面之间的p型的第3碳化硅区域、位于第3碳化硅区域与第1面之间的n型的第4碳化硅区域、以及位于第1碳化硅区域与第1沟槽之间且p型杂质浓度比第1碳化硅区域高的p型的第5碳化硅区域；第1沟槽的中的栅极电极；以及栅极电极与碳化硅层之间的栅极绝缘层，第1碳化硅区域的与第1面垂直的长度比第1沟槽的深度长。

公开(公告)号：CN108878276B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201810160327.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 朝羽俊介 ,  饭岛良介 ,  中林幸雄 ,  深津茂人 ,  伊藤俊秀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。

公开(公告)号：CN106449756A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610645271.1

申请日：2016-08-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大桥辉之 ,  饭岛良介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 提供栅极绝缘膜的耐压高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备SiC基板、设置在SiC基板上且在表面侧具有沟槽的SiC层、设置在SiC层内的第1导电型的第1SiC区域、设置在第1SiC区域与SiC基板之间的第2导电型的第2SiC区域、设置在第2SiC区域与SiC基板之间的第1导电型的第3SiC区域、设置在沟槽的侧面上以及底面上的栅极绝缘膜、以及设置在栅极绝缘膜上的栅极电极，第2SiC区域和第3SiC区域之间的边界位于沟槽的侧面的侧方，边界具有第一区域，该第一区域距SiC层表面的距离随着远离沟槽而变大，距沟槽的侧面的距离为0μm以上且0.3μm以下。

公开(公告)号：CN110416205A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910675969.1

申请日：2016-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  大桥辉之

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。