公开(公告)号：CN108878276A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810160327.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 朝羽俊介 ,  饭岛良介 ,  中林幸雄 ,  深津茂人 ,  伊藤俊秀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66666

Abstract: 提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。

公开(公告)号：CN101546710A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910128788.3

申请日：2009-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中林幸雄 ,  内田建

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种多栅型场效应晶体管及其制造方法，即使进行平坦化工序也可以防止金属污染。该多栅型场效应晶体管包括：在衬底上并列地设置的第一导电类型的多个半导体层；在多个半导体层的每一个上分离地设置的第二导电类型的源/漏区；在多个半导体层的每一个上，在源区和漏区之间设置的沟道区；在沟道区的每一个的上表面上设置的保护膜；在沟道区的每一个的两侧面上设置的栅绝缘膜；在沟道区的每一个的两侧面上夹着栅绝缘膜设置并且在沟道区的每一个的上表面上夹着保护膜设置的、包含金属元素的多个栅电极；以覆盖多个栅电极的每一个的侧面的方式在衬底上设置的层间绝缘膜；把多个栅电极的每一个的上表面共同连接的连接部；以及与连接部连接的栅布线。

公开(公告)号：CN100446271C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510059287.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中林幸雄 ,  西之原一美 ,  木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：第一半导体区；绝缘地设置于第一半导体区域之上的栅极电极；其间夹有第一半导体区域的源极和漏极电极；第二半导体区，每个都具有比第一半导体区域的杂质浓度更高的杂质浓度，一个第二半导体区被形成于该第一半导体区与该源极电极之间，而另一个第二半导体区被形成于该第一半导体区与该漏极电极之间，在源极电极和漏极电极相对于沟道方向而相互分离的方向上，源极电极向栅极电极偏移，所述一个第二半导体区域的厚度不大于在该源极电极与所述一个第二半导体区处于热平衡的情况下所述一个第二半导体区域在沟道方向上被完全耗尽时的厚度。

公开(公告)号：CN104465765A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410385595.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 饭岛良介 ,  中林幸雄 ,  清水达雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/302 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的SiC的第1区域；第1导电型的杂质浓度比第1区域低的第1导电型的SiC的第2区域；被第1区域与第2区域夹持的第2导电型的第3区域；设置在第1、第2以及第3区域表面且第3区域上的膜厚比第2区域上的膜厚厚的Si层；设置在Si层上的栅极绝缘膜；以及设置在栅极绝缘膜上的栅极电极。

公开(公告)号：CN1674298A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059287.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中林幸雄 ,  西之原一美 ,  木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：第一半导体区；绝缘地设置于第一半导体区域之上的栅极电极；其间夹有第一半导体区域的源极和漏极电极；第二半导体区，均被形成于第一半导体区域与源极和漏极电极之一之间、具有比第一半导体区域的杂质浓度更高的杂质浓度，在源极电极和漏极电极相对于沟道方向而相互分离的方向上，源极电极向栅极电极偏移，第二半导体区域之一具有这样的厚度，其不大于该第二半导体区域之一在沟道方向上被完全耗尽时的厚度，该第二半导体区域之一与源极电极处于热平衡。

公开(公告)号：CN108878276B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201810160327.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 朝羽俊介 ,  饭岛良介 ,  中林幸雄 ,  深津茂人 ,  伊藤俊秀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。