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公开(公告)号：CN118507512A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311076085.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 提供能够降低体二极管的正向电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第3导电部、第1绝缘部以及半导体部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。从第2导电部向第3导电部的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第1绝缘部包括设置于第2导电部与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括设置于第1导电部与第2导电部之间的第1半导体区域和设置于第2导电部与第1绝缘区域之间的第2半导体区域。第2导电部包括与第1半导体区域肖特基接合的第1导电区域和与第2半导体区域肖特基接合的第2导电区域。在半导体部为n型的情况下，第1导电区域的功函数低于第2导电区域的功函数。
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公开(公告)号：CN113224152A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010939014.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供半导体装置，其能够降低二极管动作中的恢复损耗。半导体装置具备第1电极与第2电极之间的半导体部和第1及第2控制电极。第1控制电极配置于第1电极与半导体部之间的第1沟槽内，第2控制电极配置于第2电极与半导体部之间的第2沟槽内。半导体部包括第1导电类型的第1层、第2导电类型的第2层、第1导电类型的第3层、第2导电类型的第4层、第1导电类型的第5层及第1导电类型的第6层。第2层设置于第1层与第1电极之间，第3层设置于第2层与第1电极之间。第4层设置于第1层与第2电极之间，第5层设置于第4层与第2电极之间，第6层设置于第1层与第2电极之间。第2电极经由包括第6层的第1导电类型区域与第1层连接。
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公开(公告)号：CN118198110A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311069409.4
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供可得到稳定特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、半导体构件及第1绝缘构件。第1绝缘构件的第2绝缘区域包括与第1半导体区域的第3部分区域对置的第1面。第1绝缘构件的第3绝缘区域包括与第3部分区域对置的第2面。第1面包括第1电极侧的第1端。第2面包括第2电极侧的第2端。第2端的第2位置与第1端的第1位置不同。
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公开(公告)号：CN114628518A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110947803.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1导电部件及第1绝缘部件。半导体部件的第4半导体区域中的缺陷密度比半导体部件的第1半导体区域的第1位置中的第1缺陷密度高。
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公开(公告)号：CN113809178A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113224161A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010952414.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域、第1部件以及第1绝缘部件。从第1部分区域向第1部件的方向沿着第1方向。从第3部分区域向第1部件的方向沿着第2方向。所述第1部件与第1部分区域电连接。第1部件与第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接。第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于第1绝缘部件的电阻率。
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公开(公告)号：CN120035175A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410874202.2
申请日：2024-07-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供能抑制耐压下降的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含具有第1面的支撑体、第1～4导电部和半导体层。从第1面往第1导电部的方向沿着第1方向。第2导电部在第2方向与第1导电部远离。半导体层位于第1导电部与第2导电部之间。半导体层包含对置区域和第1半导体区域。第3导电部在第3方向上远离第2导电部一部分和对置区域。第4导电部在第3方向远离第1半导体区域。第1半导体区域包含第1上端区域、第1下端区域和第1中间区域。第1上端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。第1下端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。
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公开(公告)号：CN113224161B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010952414.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域、第1部件以及第1绝缘部件。从第1部分区域向第1部件的方向沿着第1方向。从第3部分区域向第1部件的方向沿着第2方向。所述第1部件与第1部分区域电连接。第1部件与第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接。第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于第1绝缘部件的电阻率。
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公开(公告)号：CN115050833A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110953890.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。
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公开(公告)号：CN113345961A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010950518.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
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