公开(公告)号：CN108878276A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810160327.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 朝羽俊介 ,  饭岛良介 ,  中林幸雄 ,  深津茂人 ,  伊藤俊秀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66666

Abstract: 提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。

公开(公告)号：CN112542507A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010092192.9

申请日：2020-02-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 河野洋志 ,  蟹江创造 ,  深津茂人 ,  铃木拓马

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式的半导体装置具备碳化硅层，该碳化硅层具有元件区域和设置在元件区域的周围的末端区域，末端区域具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿第2方向延伸的第2直线部、以及第1直线部与第2直线部之间的角部，并且末端区域具有：第2导电型的第2碳化硅区域，包围元件区域，呈由第1点部和第1空间部构成的点线状，角部的第1点部所占的比例大于第1直线部的第1点部所占的比例；以及第2导电型的第3碳化硅区域，包围第2碳化硅区域，呈由第2点部和第2空间部构成的点线状，角部的第2点部所占的比例大于第1直线部的第2点部所占的比例。

公开(公告)号：CN112542507B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202010092192.9

申请日：2020-02-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 河野洋志 ,  蟹江创造 ,  深津茂人 ,  铃木拓马

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式的半导体装置具备碳化硅层，该碳化硅层具有元件区域和设置在元件区域的周围的末端区域，末端区域具有沿第1方向延伸的第1直线部、沿第2方向延伸的第2直线部、以及第1直线部与第2直线部之间的角部，并且末端区域具有：第2导电型的第2碳化硅区域，包围元件区域，呈由第1点部和第1空间部构成的点线状，角部的第1点部所占的比例大于第1直线部的第1点部所占的比例；以及第2导电型的第3碳化硅区域，包围第2碳化硅区域，呈由第2点部和第2空间部构成的点线状，角部的第2点部所占的比例大于第1直线部的第2点部所占的比例。

公开(公告)号：CN108878276B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201810160327.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 朝羽俊介 ,  饭岛良介 ,  中林幸雄 ,  深津茂人 ,  伊藤俊秀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。