公开(公告)号：CN112310216B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202010110623.X

申请日：2020-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 京極真也 ,  西尾让司 ,  饭岛良介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、电力变换装置、驱动装置、车辆及升降机。提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；碳化硅层，位于第1电极与第2电极之间，具有第1面和第2面，上述碳化硅层具有：在第1面在第1方向上延伸的第1沟槽、在第2方向上交替地配置的p型的第1碳化硅区域以及n型的第2碳化硅区域、位于第2碳化硅区域与第1面之间的p型的第3碳化硅区域、位于第3碳化硅区域与第1面之间的n型的第4碳化硅区域、以及位于第1碳化硅区域与第1沟槽之间且p型杂质浓度比第1碳化硅区域高的p型的第5碳化硅区域；第1沟槽的中的栅极电极；以及栅极电极与碳化硅层之间的栅极绝缘层，第1碳化硅区域的与第1面垂直的长度比第1沟槽的深度长。

公开(公告)号：CN112310216A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010110623.X

申请日：2020-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 京極真也 ,  西尾让司 ,  饭岛良介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、电力变换装置、驱动装置、车辆及升降机。提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；碳化硅层，位于第1电极与第2电极之间，具有第1面和第2面，上述碳化硅层具有：在第1面在第1方向上延伸的第1沟槽、在第2方向上交替地配置的p型的第1碳化硅区域以及n型的第2碳化硅区域、位于第2碳化硅区域与第1面之间的p型的第3碳化硅区域、位于第3碳化硅区域与第1面之间的n型的第4碳化硅区域、以及位于第1碳化硅区域与第1沟槽之间且p型杂质浓度比第1碳化硅区域高的p型的第5碳化硅区域；第1沟槽的中的栅极电极；以及栅极电极与碳化硅层之间的栅极绝缘层，第1碳化硅区域的与第1面垂直的长度比第1沟槽的深度长。