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公开(公告)号：CN101335195A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810131142.6
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN101330000A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810130041.7
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L23/544
Abstract: 生产半导体器件的方法和设备，该半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN101901750A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910226600.9
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/54433 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , Y10S438/974 , H01L2924/00
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。本发明还涉及从该半导体晶片中生产半导体器件的方法和设备。
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公开(公告)号：CN1281249A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN00122655.X
申请日：2000-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L21/768 , C23F1/16
CPC classification number: H01L21/76865 , H01L21/32134 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76897
Abstract: 使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂,相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。
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公开(公告)号：CN100438015C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510099508.2
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L23/544 , H01L21/00 , H01L21/66
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767187A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510099508.2
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L23/544 , H01L21/00 , H01L21/66
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN101330000B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810130041.7
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L23/544
Abstract: 生产半导体器件的方法和设备，该半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN101335195B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810131142.6
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN100420013C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02124538.X
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L23/544 , H01L21/70 , H01L27/00
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/54433 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , Y10S438/974 , H01L2924/00
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN1197135C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00122655.X
申请日：2000-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L21/768 , C23F1/16
CPC classification number: H01L21/76865 , H01L21/32134 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76897
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂。能容易地相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。
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