半导体存储器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104916644A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201410453133.4

    申请日:2014-09-05

    Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体存储器。本实施方式的半导体存储器包括:第一存储单元区域MR,其包含积层在半导体基板上方的多个存储单元MC;多层的第一虚拟区域DR,其邻设于第一存储单元区域MR;多层的第二虚拟区域DR,其于与第一虚拟区域DR之間配置第一存储单元区域MR,且邻设于第一存储单元区域MR;以及第一配线,其连接同层的所述第一虚拟区域DR与所述第二虚拟区域DR。

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