公开(公告)号：CN1281249A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂,相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。

公开(公告)号：CN103972045A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310503545.X

申请日：2013-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小出辰彦 ,  小川义宏 ,  清利正弘

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及半导体制造设备及半导体器件的制造方法。根据本实施例的半导体制造设备包括腔。配置化学剂供给部分以向所述腔中的已用清洁液体清洁的半导体衬底的表面供给憎水剂或有机溶剂。配置喷射部分以将捕获水的水捕获剂喷射到所述腔中的气氛中。

公开(公告)号：CN1197135C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂。能容易地相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。