公开(公告)号：CN101901750A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910226600.9

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/974 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。本发明还涉及从该半导体晶片中生产半导体器件的方法和设备。

公开(公告)号：CN1733879A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091415.5

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 富田宽 ,  山田裕司 ,  山田浩玲 ,  石川典夫 ,  阿部优美子

IPC: C11D7/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。

公开(公告)号：CN101335195A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810131142.6

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。

公开(公告)号：CN101330000A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810130041.7

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544

Abstract: 生产半导体器件的方法和设备，该半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。

公开(公告)号：CN100438015C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510099508.2

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。

公开(公告)号：CN1767187A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510099508.2

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。

公开(公告)号：CN1733879B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200510091415.5

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 富田宽 ,  山田裕司 ,  山田浩玲 ,  石川典夫 ,  阿部优美子

IPC: C11D7/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。

公开(公告)号：CN101330000B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200810130041.7

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544

Abstract: 生产半导体器件的方法和设备，该半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。

公开(公告)号：CN101335195B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810131142.6

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。

公开(公告)号：CN100420013C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02124538.X

申请日：2002-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/70 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/974 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。