公开(公告)号：CN1197135C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂。能容易地相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。

公开(公告)号：CN1281249A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂,相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。