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公开(公告)号：CN100399527C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410047964.8
申请日：2004-06-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11C29/006 , G11C2029/0403 , G11C2029/4402 , G11C2029/5002
Abstract: 本发明涉及根据在每一个晶片上产生的不合格分布，检测在半导体集成电路的制造工序中使用的异常制造装置的不合格检测方法和不合格检测装置。
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公开(公告)号：CN101335195A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810131142.6
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN101330000A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810130041.7
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L23/544
Abstract: 生产半导体器件的方法和设备，该半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN101901750A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910226600.9
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/54433 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , Y10S438/974 , H01L2924/00
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。本发明还涉及从该半导体晶片中生产半导体器件的方法和设备。
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公开(公告)号：CN1224089C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02123333.0
申请日：2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01N21/95607 , G01R31/2831
Abstract: 一种不良图案检测方法和不良图案检测装置，高灵敏度地自动检测出不良图案以及预先未假定的不良图案。通过将半导体集成电路的不良图案重叠在表示其对称性或周期性的重复单位上来进行强调后，作为特征量自动检测出。通过对照表示空间地偏开存在的不良的偏离程度的特征量和表示预先假定的存在不良图案的特征量，自动检测出预先未假定的不良图案的存在。在由以2个以上的特征量为分量的矢量构成的多矢量空间中，在上述多矢量空间内设定针对1个不良模式的区域，通过对照上述区域和以上述特征量为分量的矢量，可判断上述不良模式的存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100438015C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510099508.2
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L23/544 , H01L21/00 , H01L21/66
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN1767187A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510099508.2
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L23/544 , H01L21/00 , H01L21/66
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN1384538A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02123333.0
申请日：2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01N21/95607 , G01R31/2831
Abstract: 一种不良图案检测方法和不良图案检测装置,高灵敏度地自动检测出不良图案以及预先未假定的不良图案。通过将半导体集成电路的不良图案重叠在表示其对称性或周期性的重复单位上来进行强调后,作为特征量自动检测出。通过对照表示空间地偏开存在的不良的偏离程度的特征量和表示预先假定的存在不良图案的特征量,自动检测出预先未假定的不良图案的存在。在由以2个以上的特征量为分量的矢量构成的多矢量空间中,在上述多矢量空间内设定针对1个不良模式的区域。通过对照上述区域和以上述特征量为分量的矢量,可判断上述不良模式的存在。
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公开(公告)号：CN101330000B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810130041.7
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L23/544
Abstract: 生产半导体器件的方法和设备，该半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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公开(公告)号：CN101335195B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810131142.6
申请日：2002-03-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 有门経敏 , 岩濑政雄 , 灘原壮一 , 有働祐宗 , 牛久幸広 , 新田伸一 , 宫下守也 , 菅元淳二 , 山田浩玲 , 永野元 , 丹沢勝二郎 , 松下宏 , 土屋憲彦 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/268 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。
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